单块式SuperFlash

产品参数：

 

　　类型： 存储器
　　品牌： SST
　　型号： SST39VF1681-70-4C-EKE
　　工作温度范围 0°C to + 70°C
　　封装类型 TSOP
　　针脚数 48
　　工作温度 0°
　　工作温度 +70°C
　　电源电压 3.6V
　　最小电源电压 2.7V
　　表面安装器件 表面安装
　　重量 0.00003
　　存储器类型 Flash, NOR
　　存储器配置 2M x 8bit
　　存储器容量 16Mbit
　　电源电压范围 2.7V to 3.6V
　　访问时间 70ns
　　接口 Parallel
　　接口类型 Parallel
　　扇区类型 底部引导

 

 

 　　从物理层面解释，NOR闸闪存的每个存储单元类似一个标准MOSFET,除了晶体管有两个而不是一个闸极。在顶部的是控制闸（CONTROL Gate,CG），它的徐阿奴阿布是土匪以氧化物层与周遭绝缘的浮闸（Floathing Gate,FG）。由于这个FG在电气程度上是出于绝缘层独立的，所以湖边人员的毒啊班组会被困在里面，在一般的条件下，电荷经过很长时间都不会产生逃逸的情况。将FG放在CG与MOSFET通道之间。当FG抓到电荷时，它部分屏蔽掉来自CG的电场，并改变这个单元的阀电压（VT）。在读出期间。利用向CG的电压，MOSFET通道会变的导电或保持绝缘。这视乎该单元的VT而定（而该单元的VT受到FG上的电荷控制）。这股电流流过MOSFET通道，并以二进制码的方式读出、再现存储的数据。在每单元存储1位以上的数据的MLC设备中，为了能够更精确的测定FG中的电荷位准，则是以感应电流的量（而非单纯的有或无）达成的。

 

　　逻辑上，单层NOR FLASH单元在默认状态代表二进制码中的“1”值，因为在以特定的电压值控制闸极时，电流会流经通道。经由以下流程，NOR FLASH 单元可以被设置为二进制码中的“0”值。
　　1. 对CG施加高电压（通常大于5V）。
　　2. 现在通道是开的，所以电子可以从源极流入汲极（想像它是NMOS晶体管）。
　　3. 源-汲电流够高了，足以导致某些高能电子越过绝缘层，并进入绝缘层上的FG,这种过程称为热电子注入。

 

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