并行存储器SST39

产品参数：

　　在数字电路设计中，我们常常希望有某个特定功能的芯片，而市场上很难找到甚至没有芯片能提供所需要的功能。这时，一个切实可行的办法就是采用可编程逻辑器件（PLD）定制功能，这里讨论用存储器法实现。这种方法很容易推广到其它容量和类型的非易失性并行存储器，如EPROM、EEPROM、Flash等。即使以后推出新型工艺的非易失性存储器芯片，只要是并行输入/输出的，存储器法都适用。

 　  类型： 存储器
　　品牌： SST
　　型号： SST39VF3201-70-4C-EKE
　　工作温度范围 0°C to + 70°C
　　封装类型 TSOP
　　针脚数 48
　　工作温度 0°
　　工作温度 +70°C
　　电源电压 3.6V
　　最小电源电压 2.7V
　　表面安装器件 表面安装
　　重量 0.00003
　　存储器类型 Flash, NOR
　　存储器配置 2M x 16bit
　　存储器容量 32Mbit
　　访问时间 70ns
　　接口类型 Parallel
　　扇区类型 底部引导

　　与PLD中的可编程逻辑阵列（PLA）、可编程阵列逻辑（PAL）、通用阵列逻辑（GAL）一样，用存储器实现组合逻辑和时序逻辑，实际上是一种计算机软件和硬件相结合定制芯片功能的方法。与后者不同的是，存储器法的实质就是查表法--存储器就相当于一个表格。向“表格”送入一个行号（地址），就可以从输出得到表格里这一行的内容（所存储的数据），所以输出和输入并没有什么逻辑上的关联；而PLA、PAL、GAL的输入与输出有着逻辑上的关系--输出是输入经过逻辑运算得到的。所以后者对写入的数据进行了“压缩”,用户在写入这些芯片之前，要从真值表或其它途径归纳出输入与输出的逻辑关系。存储器就完全不需要用户这样作，只要将输入按位编成地址，根据地址和实现的逻辑功能确定希望得到的输出，即为应存放的数据。真值表数据的取得既可以用手工的方法，也可以用程序生成。由于存储器没有对数据进行“压缩”,因而有很大的冗余度，所以容错能力也比PLA、PAL、GAL强得多。更重要的是，如今存储器芯片价格低廉，存储容量大，因而可以将几十个、甚至成百上千个相互独立的功能用一个存储器实现，这就进一步降低了使用存储器实现各种功能的成本。

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