高端芯片用光刻胶在线超高速胶体磨

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从微观层面看，光刻胶在芯片制造的光刻工艺中扮演着“模具”的角色。在光刻过程中，光刻胶均匀地涂覆在硅片表面，随后通过特定波长的光线照射，使曝光区域的光刻胶发生化学变化。经过显影等后续工序，jing确地在硅片上形成所需的电路图案，其精度直接决定了芯片上晶体管等元件的尺寸和集成度。毫不夸张地说，没有高质量的光刻胶，就无法制造出高性能、高集成度的芯片。

从宏观产业层面而言，光刻胶的自主可控对于我国芯片产业的独立发展意义非凡。长期以来，全球高端光刻胶市场被美日等少数国家的企业牢牢垄断，我国芯片产业在光刻胶供应上高度依赖进口，这就像在产业发展道路上埋下了一颗“定时炸弹”。一旦国际形势发生变化，供应中断，我国芯片产业将面临停滞的巨大风险。因此，这句话不仅是对光刻胶重要性的生动诠释，更是对我国光刻胶企业的有力警醒，催促着它们加速构建自身的技术壁垒和市场优势，坚定不移地打赢光刻胶国产化这场持久战

上海依肯机械专注于研磨分散设备研发与生产，其生产的 CMSD2000 纳米半导体材料高速研磨分散机等设备，适用于半导体光刻胶等物料的研磨，具有转速高、研磨效果好等特点，设备通过皮带传动带动转齿与相配的定齿作相对的高速旋转，被加工物料通过本身的重量或外部压力加压产生向下的螺旋冲击力，透过胶体磨定、转齿之间的间隙时受到强大的剪切力、摩擦力、高频振动等物理作用，使物料被有效地乳化、分散和粉碎，达到物料超细粉碎及乳化的效果。设备转速可达 14000rpm，是普通国产设备转速的 4-5 倍，研磨分散效率高。可使物料粒径达到 0.1-1 微米，粒径分布范围窄，匀度高，能满足半导体光刻胶对研磨精度的高要求。此外，其具有短距离、低扬程输送功能，且研磨过程中物料 100% 通过粉碎分散剪切，无死角，批次间生产的品质差异小。

依肯高端芯片用光刻胶在线超高速胶体磨设备转速可达 14000rpm-21000rpm，是普通国产设备转速的 4-5 倍，研磨分散效率高。可使物料粒径达到纳米，粒径分布范围窄，匀度高，能满足半导体光刻胶对研磨精度的高要求。此外，其具有短距离、低扬程输送功能，且研磨过程中物料 100% 通过粉碎分散剪切，无死角，批次间生产的品质差异小。

影响分散乳化结果的因素有以下几点

1 分散头的形式(批次式和连续式)(连续式比批次好)

2 分散头的剪切速率(越大，效果越好)

3 分散头的齿形结构(分为初齿，中齿，细齿，超细齿，约细齿效果越好)

4 物料在分散墙体的停留时间，乳化分散时间(可以看作同等的电机，流量越小，效果越好)

5 循环次数(越多，效果越好，到设备的期限，就不能再好)

线速度的计算

剪切速率的定义是两表面之间液体层的相对速率。

剪切速率(s-1)=v速率(m/s)

9 定-转子 间距(m)

由上可知，剪切速率取决于以下因素:

转子的线速率

-在这种请况下两表面间的距离为转子-定子 间距。

IKN 定-转子的间距范围围为0.2~0.4mm

速率V= 3.14XD(转子直径)X转速 RPM/60

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