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WT-2000型少子寿命测试仪
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WT-2000型少子寿命测试仪

产品价格:
电议
产品型号:
WT-2000
产品品牌:
Semilab
供应商等级:
企业未认证
经营模式:
贸易商
企业名称:
北京飞凯曼科技有限公司
所属地区:
北京北京市
发布时间:
2018/4/23 16:05:41

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赵经理先生(联系我时,请说明是在维库仪器仪表网看到的,谢谢)

企业档案

北京飞凯曼科技有限公司

企业未认证营业执照已上传

经营模式:贸易商

所在地:北京 北京市

主营产品:表面缺陷检测系统;在线表面缺陷检测系统;视频表面缺陷检测系统;探针台;变温探针台;高低温探针台;霍尔效应测试仪;微波介电常数测试仪;光纤放大器;半导体激光器;单频激光器;单纵模激光器;单频半导体激光器;光纤放大器;超快振荡器;超快放大器;飞秒激光器;在线粘度计;体全息光栅;高温粘度计;

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   北京飞凯曼科技有限公司提供匈牙利Semilab公司WT-2000型、WT-1200A、WT-1200B型、WT-1000型少子寿命测试仪、DLS-83D深能级瞬态谱仪、SE-2000全光谱椭偏仪、扩展电阻测试仪、汞CV测试仪、非接触式霍尔效应测试仪、原子力显微镜、扫描探针显微镜、纳米压痕测试仪等。

少子寿命测试仪主要应用于半导体/光电/光伏材料(单晶/多晶硅片及硅锭)的工艺控制及测试手段。通过测量少子寿命,可做出晶体生长及工艺过程引入的缺陷图及硅片中的Fe元素污染图。仪器主要功能有微波光电导衰减法测少子寿命,光诱导电流测试,无接触方块电阻测试,涡流场体电阻率测试,Fe元素含量测试。

WT-2000型少子寿命测试仪主要技术指标:
    
1. 微波光电导衰减法测少子寿命:
 1.1 寿命测试范围:0.1 us – 30 ms  
 1.2 测试分辨率:0.1%  
 1.3扫描分辨率:0.5,1,2,4,8,16mm 
 1.4 样品的电阻率范围:0.1 – 1000 ΩCM 
 1.5 测试光点直径:1mm 
 1.6 测试速度:30ms/数据点
 1.7 测试点数:过360000 
 1.8激光源波长:904nm 
 1.9光源脉冲宽度:200ns,fall time 10ns
2. 光诱导电流测试
 2.1 扫描区域:210 ? 210 mm 
 2.2 测试电流范围:1 uA – 1mA 
 2.3 光源波长:403,880,950,980 nm 
 2.4 选加功能:硅片,电池的上述激光波长反射率扫描,电池的IQE,EQE扫描 
 2.5 通过两个以上的激光器,可以计算少数载流子的扩散长度
3. 方块电阻测试:
  无接触方块电阻测试功能,以取代传统的四探针
 3.1 可测试样品:np or pn structure 
 3.2 测试范围:10 Ω/sq to 1000Ω/sq 
 3.3 测试分辨率:2% 
 3.4 扫描分辨率:10mm 
 3.5 测试:< 3% 
 3.6 测试重复性:< 1%
4. 体电阻率扫描:
  涡流场测试,无接触,伤测试
 4.1 测试范围:0.5 – 20 ΩCM      
 4.2 测试: 3-6 %  
 4.3 测试重复性: 2%            
 4.4 探头直径:5 mm
5. p型硅样品,范围:Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3

详细技术参数请咨询我们。

 

少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一,对器件特性的描述起着重要作用,是对以PN结为基本结构的器件,额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用,因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。

  太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命.少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结,受PN结电场分离后对外产生光电流,同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压,所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数,光伏工业生产中常见的测试就是少子寿命的测试,通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。

  少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法(ASTM国际标准-1535)的测试原理,提供、快速、无接触、伤的少数载流子寿命的测试,主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子,再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化,从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒,硅片的出厂、进厂检查,生产工艺过程的沾污检测等。是在太阳能领域,少子寿命将直接关系到成品电池的效率,是备的检测手段。

  少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度,即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数,它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响,可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。

  少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法(SEMI国际标准-1535)的测试原理,即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子,再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化,从而计算出少子寿命值,为半导体提供、快速、无接触、伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的ns级,分辨率达1%,测试结果准确性好、重复性高,完满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是受市场接受的少子寿命测试方法。

主要特点:

  • 适应低电阻率样片的测试需要,小样品电阻率可达0.1ohmcm

  • 全自动操作及数据处理

  • 对太阳能级硅片,测试前一般不需钝化处理

  • 能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭

  • 可以选择测试样品上任意位置

  • 能提供的表面化学钝化处理方法

  • 对各道工序的样品均可进行质量监控:

硅棒、切片的出厂、进厂检查
扩散后的硅片
表面镀膜后的硅片以及成品电池

  
性能指标:

  • 测试材料: 硅、锗等

  • 样片电阻率范围: 0.1 - 1000Wcm

  • 激光波长: 904nm

  • 光斑直径: 10mm2

  • 微波源: 可调频率10.3GHz

  • 少子寿命测试范围: 100ns - 20ms

  • 测试分辩率: 0.1%

  • 测试时间: 30ms/数据点

  • 可以提供单点或连续测试


主要应用:

  材料的质量控制

  • 硅片、棒的出厂、进厂检查

  • 硅片的属沾污测试

  工艺过程质量控制

  • 生产过程中的硅片质量监测

氮化物镀膜
金属化
磷扩散

 


联系方式

北京飞凯曼科技有限公司

联系人:
赵经理先生
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传真:
010-65800645
所在地:
北京 北京市
类型:
贸易商
地址:
大兴区华佗路9号院2号楼11层

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