PECVD等离子化学气象沉积
设备介绍： 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的来反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
开启式真空管式炉技术参数 | |
石英管尺寸 | Φ100*L1200mm |
加热元件 | 电阻丝 |
测温元件 | N型热电偶 |
加热区/恒温区 | 440mm/200mm |
工作温度 | ≤1100℃ |
控温模式 | PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制 |
控温 | ±1℃ |
电功率 | AC220V/50HZ/3KW |
质量供气系统 | |
标准量程 | 50-500ml/min |
压力表测量范围 | -0.1Mpa～0.15Mpa |
限压力 | 3MPa |
针阀 | 316不锈钢 |
电功率 | AC220V/50HZ/20W |
响应时间 | 气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
重复 | ±0.2% |
真空系统参数 | |
工作电电压 | 220V±10% 50~60HZ |
功率 | 400W |
限真空 | 4X10-1Pa |
进/排气口口径 | KF25 |
射频电源 | |
信号频率 | 13.56 MHz±0.005% |
功率输出范围 | 5W-500W |
供电电压 | 单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
整机效率 | >=70% |
