GDAS51射频导纳物位开关
一、产品原理及应用
古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测棒与金属容器罐壁之间具有电容特性，由此构成一个电桥电路，振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测棒时，电桥处于平衡状态，没有输出信号，而当被测介质填充到探测棒与罐壁之间时，由于被测介质的电特性与空气不同，会引起电桥电路的不平衡，从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。
二、产品参数
探测组件材料： PPS/不锈钢 316L
过程温度： -50～150°C
过程压力： -1.0～64bar
信号输出： 一个单刀双掷继电器，接点容量 250V/5A
过程连接： G?A
长度： 0.4～3m; 0.3～10m
供电方式： 24V DC±10%
220V DC±10%
三、 GDAS51系列射频导纳物位开关选型表
GDAS51 | 选型代码 | 说 明 |
仪表种类 | A | 高、高稳定性 |
B | 高稳定性 | |
C | 中等普通工业用 | |
D | 一般工业用 | |
供电电压 | A | 24V |
B | 220V | |
电缆进线 | M | M20×1.5 |
N | ?NPT | |
T1 | 要求 | |
现场显示 | A | 带 |
X | 不带 | |
T2 | 要求 | |
带散热片/过程温度 | A | 带/-40 C....+150 °C |
X | 不带/-40 C....+80 °C | |
T3 | 要求 | |
长度（mm） | A | 四位数字 |
T4 | 要求 |
