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2018 年VR 头戴装置将达4,300 万台：资策会MIC 日前在2017 资通讯产业趋势回顾与前瞻记者会上预估2018 年VR HMD 出货量将达到4,300 万台，相较于今年将成长3,000 万台以上。
2020 年中国将消耗四成NAND Flash：DRAMeXchange 预估2017 年中国市场所消耗的NAND Flash 量将占30%以上，2020年将占逾40%。
英特尔正式发布第七代酷睿处理器：芯片巨头英特尔正式发布了全新第七代酷睿处理器，这一代处理器的微架构代号为KabyLake，主要是用于代替2015 年发布的第六代酷睿芯片的Skylake 微架构。Skylake 架构基于14nm 工艺制程，功率和性能提升明显。
台积电将推出GaN 快充芯片：台积电协同合作伙伴戴乐格半导体（DialogSemiconductor），将于明年第1 季推出首颗氮化镓（GaN）手机快充晶片，该晶片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势，适用于手机及平板等行动快充。
美国Vishay BLH过程测量仪
ALPHA
Expert Series Load Cells
C3P2-1T
C3P2-15T
C3P2-25T
C3P2-50T
C3P2-B-20000LB
308A-4-CP总线盒
C3P2-II-2K or 3K
CBR-10
C3P2-11-30K
C3P2-II-50K
C3P2-II-100K
C3P2-
C3P2-20K/30K
LCP-100 放大器
C2P1-50K
C2P1-500K(线长10英尺）
C2P1-500K(线长３0英尺）
4310A
C2P1-50000 lb
C2P1-50000 lb线长10M
KIS Beam Load Cell Weigh Modules
KDH-3B Weigh Modules
KDH-1B High Capacity Weigh Modules
Z-BLOK Weigh Modules
LPT Low Profile Load Lells
中国移动于今年2月宣布启动5G联合创新中心。为构建一个跨行业的融合生态系统，以在4G向5G的演进过程中抢占先机，中国移动5G联合创新中心正联合通信企业、互联网企业及垂直应用行业合作伙伴，将创新目标锁定于基础通信能力、物联网、车联网、工业互联网、云端机器人、虚拟/增强现实等六大重点领域,合力推动基础通信能力的成熟、孵化融合创新应用和产品。
CBR-10目前，中国移动5G联合创新中心的42家成员包括5家通信设备厂商、9家终端/芯片类厂商、5家仪器仪表厂商、18家垂直行业厂商及5家垂直领域创新创业型企业，传统通信行业及垂直行业，正在由单一领域的创新转变为跨领域的协同创新。
供应美国motorola/freescale压力传感器MPX5500DP及相关传感器产品，如下：
MPX10D MPX10DP MCBR-10PX10GP MPX10GS MPXV10GC6U MPXV10GC7U MPX12D MPX12DP MPX12GP MPX2010D MPX2010DP MPX2010GP MPXT2010G7U MPX2050D MPX2050DP MPX2050GP MPX2050GVP MPX2050GS MPX2050GSX MPX2050GVSX MPX2053D MPX2053DP MPX2053GP MPX2100A MPX2100DP MPX2100AP MPX2100AS MPX2100ASX MPX2102A MPX2102D MPX2102DP MPX2102AP MPX2102GP MPX2102GVP MPX2200A MPX2200D MPX2200DP MPX2200AP MPX2200GP MPX2200A MPX2200D MPX2200DP MP2200AP MPX2200GP MPX21002A MPX2102D MPX2102DP MPX2102AP MPX2102GP MPX2102GVP MPX2200A MPX2200D MPX2200DP MPX2200AP MPX2200GP MPX2201GP MPX2300DT1 MPX4080D MPX4100A MPXA4100A6U MPX4100AP MPXA4100A6U MPX4100AS MPX4101A MPXA4101AC6U MPX4105A MPX4115A MPXA4115A6U MPX4115AP MPXA4115AC6U MPX4115AS MPX4200A MPX4200AP MPX4200SA MPX4200ASX MPX4250A MPX4250AP MPX4250A6U MPXA4250A6T1 MPXA4250AC6U MPXA4250AC6T1 MPX4250D MPX4250GP MPX4250DP MPX5010D MPX5010DP MPX5010GP MPX5010GS MPX5010GSX MPXV5010G6U MPXV5010G7U MPXV5010GC6U/T1 MPXV5010GC7U MPX5050D MPX5050DP MPX5050GP MPX5100A MPX5100D MPX5100DP MPX5100AP MPX5100GP MPX5100GVP MPX5100AS MPX5100GS MPX5100GVS MPX5100ASX MPX5100GSX MPX5100GVSX MPX53D MPX53GP MPX5500D MPX5500DP MPX5700D MPX5700A MPX5700DP MPX5700GP MPX5700AP MPX5700GS MPX5700AS MPX5999D MPXA6115A6U MPXA6115AC6U MPXA6115A MPXA6115A6T1 MPXA6115AC6T1 MPXAZ4100A6U MPXAZ4100A MPXAZ4100A6T1 MPXAZ4100AC6U MPXAZ4100AC6T1 MPXAZ4115A6U MPXZ4115A MPXAZ4115A6T1 MPXAX4115AC6U MPXAZ4115AC6T1 MPXC2011DT1 MPXM2010D MPXM2010DT1 MPXM2010GS MPXM2010GST1 MPXM2053D MPXM2053DT1 MPXM2053GS MPXM2053GST1 MPXV4006GC6U MPXV4006G6U MPXV4115V6U MPXV4115V6T1 MPXV4115VC6U MPXV5004GC6U/T1 MPXV5004G6U/T1 MPXV5004GC7U MPXV5004G7U MPXY8010 MPXY8020 MPXY8030 MPXY8040 MMA6200xxQ 低重力加速度（low-g）传感器 MPXA6115A 高温集成压力传感器 MPXAZ6115A 耐抗高温压力传感器 MPXH6115A 高温集成压力传感器
MP3H6115A 高温集成压力传感器 MPXHZ6115A 媒体耐抗的高温集成压力传感器 MPXH6250A 集成压力传感器 MPXH6300A 压力传感器 MPXH6400A 集成压力传感器 等汽车用压力传感器
除42家合作伙伴外，中国移动5G联合创新中心下设的中央实验室、区域实验室、合作伙伴联合实验室均已启动构建及相关工作。CBR-10
为使5G在2020年具备商用能力，依托中国移动5G联合创新中心，中国移动与合作伙伴在5G关键技术研究及试验验证的合作取得进展。8月16日，中国移动和爱立信联手完成运营商网络控制的5G原型系统无人机试验，测试了5G技术场景下的潜在关键任务应用的可能性。
称重传感器
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HBM
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瑞士托利多
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Celtron称重传感器
梅特勒-托利多天平
主要有以下系列
AL、ML、MS、XS、XS3DCBR-10U、XP、XP6/XP2U、XP6-S
PL-L、PL-S、PL、ML
MS、XSX
具体型号如下
XP U
XP6U
XP2U
XP6
XP56 XP56DR
XP26 XP26DR
CBR-10
XP105DR XP204 XP203S XP802S XP2001S XP16000L
XP205 XP504 XP603S XP1202S XP4001S XP32000L
XP205DR XP504DR XP603SDR XP2002S XP6001S XP64000L
XP204S XP1203S XP4002S XP8001S
XP404S XP2003SDR XP4002SDR XP10001S
XP404SDR XP5003SDR XP6002S XP8001L
XP6002SDR XP16001L
XP8002S XP32001L
XP10002S XP32001LDR
XP10002SDR XP64001L
XS3DU XS105DU XS64 XS203S XS802S XS4001S XS16000L
XS205DU XS104 XS403S XS2002S XS6001S XS32000L
XS204 XS603S XS4002S XS8001S
XS204DR XS603SDR XS4002SDR XS8001L
XS1003S XS6002S XS16001L
XS6002SDR XS32001L
XS32001LDR
XS204SX XS603SX XS4002SX XS4001SX XS32000LX
XS1003SX XS6002SX XS32001LX XS64001LX
XS5003SXDR XS64001LX
MS105 MS104S MS303S MS1602S MS6001S
MS105DU MS204S MS303SE MS1602SE MS8001S
MS205DU MS304S MS403S MS3002S MS8001SE
MS603S MS3002SE
MS1003S MS4002S
MS4002SDR
MS6002S
MS6002SDR
MS12001L MS32000L
MS16001L MS32000LE
MS16001LE
MS32001L
MS32001LE
ML54 ML203 ML802 ML2001
ML104 ML203E ML802E ML4001
ML204 ML303 ML1502E ML6001
ML303E ML1602 ML60
CBR-1001E
ML503 ML3002
ML3002E
ML4002
ML4002E
AL104/01 PL203/01 PL2002/01 PL4001/01
AL204/01 PL303/01 PL3002/01
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PL-S PL83-S/01 PL1502-S/01
PL202-L PL601-L PL6000-L
PL402-L PL1001-L
PL602-L PL2001-L
PL4001-L
PL6001-L
电子行业中报业绩喜人，逾7 层公司收入实现增长: A 股电子元器件行业172 上市公司公布2016 年中报，其中111 家净利润同比增长，61 家下降，132 家营业收入同比增长，40 家下降，净利润和营业收入同时增长的公司有英唐智控等96 家，利润收入均下降的有同洲电子等25 家，业绩增幅翻倍的公司有32 家，其中麦达数字净利润增幅，达7185.73%。
国内NAND 闪存市场需求增长强劲，将加速闪存芯片国产化进程:日前，闪存产业的指标性展会──2016 年闪存高峰会(2016Flash Memory Summit)在北京落幕，该峰会已经连续两年在中国举行。TrendForce 集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(半导体观察)预估2017 年中国市场所消耗的NAND Flash 量将占30%以上，2020 年消耗量将占逾40%，显示出国内NAND闪存市场需求的快速增长。
国内快速发展的市场需求，引来 NAND 闪存公司的注意。韩国三星在中国西安投资的 NAND 工厂已经投产，主要产品为 3DNAND 闪存；英特尔（Intel）也把大连的封测工厂改造成 NAND 工厂，预计 2016 年底开始小量生产，主力产品很有可能为 3DXPoint 闪存。
与此同时，国家政策也在大力助推国内存储器产业向前发展。此前总投资1600 亿元的国家存储器基地已经正式落户武汉，长江存储科技有限责任公司于7 月26 日正式成立，武汉新芯成为其全资子公司。8 月24 日，湖北武汉市政府与紫光集团在北京签署《全面战略合作框架协议》，双方将围绕国家存储器基地项目建设、集成电路产业发展基金、新IT“云—网—端”全产业链等领域开展全方位合作。
