- 品牌/商标：武汉中科宇晶光电Coreoptronics
武汉中科宇晶光电是一家国际的BBO晶体供应商:
§ 优质的产品售前服务(的工程师根据客户具体应用需求推荐相应的BBO晶体，接受客户不同规格尺寸的BBO晶体定制)；
§ 优质的产品售后服务(快捷的退换货服务和产品1年保修保证)；
§ 供应大尺寸的BBO晶体(镀制增透膜AR coating或保护膜P-coating)；
§ 供应BBO晶体超薄片(镀制增透膜AR coating或保护膜P-coating)；
§ 根据客户需要为BBO晶体安装支架；
§ 用于电光应用(e/o)的镀金BBO晶体；
§ 有竞争力的价格及交期
公司不仅能给您提供性价比的产品，还有的工程师为您提供产品售前售后服务，欢迎随时来电或email垂询！
描述：
BBO晶体(β-BBO，β相偏硼酸钡晶体，β-BaB2O4 )是具有综合优良性能的非线性光学晶体，其宽透明范围和相匹配范围，大的非线性系数，高的抗光损伤阈值、宽温度带宽以及优越的光学均匀性，为各种非线性光学应用提供了实际可能性。目前国际上主要用于将800nm左右钛宝石激光器倍频至400nm左右紫外光，和一些皮秒飞秒脉冲工业激光器的倍频以及OPO系统，电光开关等。
BBO晶体的主要特点：
可实现相位匹配的波段范围宽(409.6—3500nm);
宽透明范围(190—3500nm);
倍频转换效率高(相当于KDP晶体的6倍);
高损伤域值(100ps脉宽的1064nm 10GW/cm2);
光学均匀性好(dn10-6);
温度接收角宽(≈55℃左右);
机械，物理性能好.
BBO晶体的主要应用：
Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍频;
染料激光器和钛宝石激光器的二、三倍频及和频;
光学参量放大器(OPA)与光学参量振荡器(OPO);
氩离子，红宝石和Cu蒸汽激光器的倍频.
化学和结构特性:
| 晶格结构 | 三角晶系, 空间群 R3c |
| 晶格参数 | a=b=12.532, c=12.717 , z=6 |
| 熔点 | 约1095℃ |
| 莫氏硬度 | 4 |
| 密度 | 3.85g/cm3 |
| 导热性 | 1.2W/m/K(┴c): 1.6w/m/K(//c) |
| 热膨胀系数 | α,4x10-6/K; c,36x10-6/K |
光学以及非线性光学特性:
| 透光范围 | 190-3500nm |
| 二次谐波可匹配范围 | 409.6-3500nm(Type I) |
| 525-3500nm(Type II) | |
| 热透镜系数(/℃) | dno/dT=-9.3x 10-6/℃ |
| dne/dT=-16.6x 10-6/℃ | |
| 吸收系数 | <0.1%/cm @ 1064nm |
| <1%/cm @ 532nm | |
| 接受角 | 0.8mrad-cm(θ, Type I,1064 SHG) |
| 1.27mrad-cm (θ, Type II,1064 SHG) | |
| 工作温度 | 55℃-cm |
| 光谱范围 | 1.1nm-cm |
| 走离角 | 2.7° (Type I 1064 SHG) |
| 3.2° (Type II 1064 SHG) | |
| 非线性系数 | deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-22sin3Φ)cosθ |
| deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ | |
| 非零非线性磁化系数 | d11=5.8xd36(KDP) |
| d31=0.05xd11 | |
| d22<0.05xd11 | |
| 塞耳迈耶尔方程(λ in μm ) | no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2 |
| ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2 | |
| 电光系数 | r11=2.7pm/V, r22, r 31<0.1γ11 |
| 半波电压 | 48Kv (at 1064nm) |
| 电阻率 | >1011 ohm-cm |
| 相关介电常数 | εs11/so:6.7 |
| εs33/εo:8.1 | |
| Tan δ<0.001 |
BBO晶体的产品规格：
| 尺寸公差 | (W±0.1mm) x ( H±0.1mm) x (L+0.2mm/-0.1mm) |
| 角度公差 | Δθ< 0.25°, Δφ< 0.25° |
| 平面度 | λ/10 @ 633nm |
| 波前畸变 | < λ/8 @ 633nm |
| 表面光洁度 | 10/5 scratch/dig |
| 平行度 | < 20 arc seconds |
| 垂直度 | < 5 arc minutes |
| 通光孔径 | ≥中心直径95% |
| 倒边 | x 45°±5°chamfer |
| 镀膜 | R < 0.2% @ 1064nm, R < 0.5% @ 532nm |
| 损伤阈值(AR镀膜) | >0.5 GW/cm2 for 1064nm,TEM00,10ns,10HZ |
| >0.3 GW/cm for 532nm,TEM00,10ns,10HZ |
注：武汉中科宇晶光电可接受客户不同尺寸规格的BBO晶体定制，也可根据客户具体应用需求推荐相应的BBO晶体。
