K 100V高压陶瓷电容

1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大

2.单片结构保证有的机械性强度及可靠性
3.极高的度，在进行自动装配时有高度的准确性 1812 475K 100V高压陶瓷电容
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故适合于高频，高密度类型的电源

工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压

　　 
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。　　 
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
　　　　 
高压贴片电容特性： 
1.等效串联电阻（ESR）小，阻抗（Z）低，与同等钽电容或者铝电解电容相比，ESR小几十倍，能量利用率高，发热小，价格低。 　2.品种，规格齐全，体积小。容量从10pF到47uF，耐压从10V-6000V，体积小可以达到1X0.5mm.

　3.无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路，而且装配更为方便。 
4.性能稳定，即使被击穿也不会燃烧，安全性高。 
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 
　　 
　　低容量电容NP0材料（10-6800pF）：适用频率1-100MHz
　　1.温度系数：0±30ppm／℃，-55℃～125℃； 
　　2.电容量漂移：不超过±0.3％或±0.05pF（取较大者）。 
　　3.老化特性：无 
　　 
　　高容量电容X7R材料（6800pF以上）：适用频率不超过10KHz
　　1.温度特性：不超过±15％，-55℃～125℃。 
　　2.老化特性：每10年变化1％ΔC，表现为10年变化约5％。

　　工作温度为环境温度与元件本体温升之和。 
　　降额设计 
　　设计者在选用电容器工作电压时，应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为保证产品及线路的可靠性，在实际设计时建议降额使用
　　 
　　使用注意事项 
　　工作温度 
　　电容器设计类别温度范围有?55℃～125℃、?55℃～85℃两种，设计者必须确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命，推荐工作温度限制在低于上限类别温度10℃～15℃。

630V 0.1UF 1210封装 X7R材质
630V 0.15UF 1210封装 X7R材质
450V 0.22UF 1210封装 X7T材质  
250V 224 1812封装
250V 334 1812封装
250V 474 1812封装
250V 684 1812封装
250V 105 1812封装
500V 224 1812封装 
400V 474K 1812封装 X7R
400V 334K 1812封装X7R
450V 474 1812封装 X7T  
450V 105 2220封装 X7T  
450V 334K 1812封装 X7T 
以上都为X7R或X7T材质，为10%耐125度高温

恒流驱动电源：

0805 225K 50v X7R

1206 333K 500v X7R

1206 333K 500V X7R

RC电路专用：

1812 104K X7R 630v

1812 224K X7R 500V

1812 334K X7R 450V

1812 474K X7R 450V

1812 564KX7R 400V

1812 684K X7R 400V

1812 824K X7R 400V

1812 105K X7R 400V

IC线性电源方案：

2220 105K X7R 500V

2220 225K X7R 400V

2220 335K X7R 250V

2220 475K X7R 250V

2220 685K X7R 250V