电特性 TA =25℃,VDD=2.5Vto24V
参数 | 号 | 条件 | 小 | 典型 | 单位 | |
电源电压 |
VDD |
Operating |
2.2 |
|
24 |
V |
电源电流 |
IDD |
B<BRP |
|
|
5 |
mA |
输出饱和电压 |
VDSon | IOUT=20mA,B> |
|
|
0.5 |
V |
输出低电平电流 |
IOFF | B <BRPVOUT=24V |
|
1 |
10 |
µA |
输出上升时间 |
tr |
RL=1k??,CL=20pF |
|
0.25 |
|
µs |
输出下降时间 |
tf |
RL=1k??,CL=20pF |
|
0.25 |
|
µs |
开关频率 |
FSW |
--- |
|
10 |
|
KHz |
封装热阻 |
RTH |
Singlelayer(1S)Jedecboard |
|
301 |
|
°C/W |
磁特性VDD=2.5Vto24V
参数 | 档次 | 小 | 典型 | 单位 | |
工作点(BOP) |
E 档 | 15 | 30 | 50 | G |
释放点(BRP) | -50 | -30 | -15 | G | |
回差(BH) | 55 | 65 | 75 | G | |
工作点(BOP) |
L 档 | 10 | 30 | 55 | G |
释放点(BRP) | -55 | -30 | -10 | G | |
回差(BH) | 50 | 65 | 80 | G |
