双(自旋阀)GMR磁传感器
产品特点
l 每片集成一组或两组的自旋阀磁电阻（GMR）惠斯通电桥
l 模拟正电压（半桥）或差分电压（全桥）输出
l 测量范围：&plun;0.3mT～&plun;4.3mT
l 灵敏度：3mV/V·mT～40mV/V·mT
l 供电电压：DC1V～DC20V
l 频率响应：0～1MHz
l 非线性度：0.4%～2%
l 温度稳定性：≤20 ppm/℃
l 工作温度范围：-40℃～85℃（类），-55℃～125℃（第二类）
l 微型表面贴装封装
应用领域
l 磁头
l 接近开关
l 角度传感器、转速传感器、位移传感器
l 电流检测
l 磁电编码器
l 电子罗盘
l 特种弱磁检测领域
产品说明
自旋阀磁电阻（GMR）传感器芯片是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化，导致电桥输出端的电压产生相应的变化，即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。磁电阻（GMR）传感器芯片采用一组或两组的GMR惠斯通电桥结构，将磁场转化成模拟正电压（半桥）或差分电压（全桥）输出，具有宽的测量范围、高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度，可以测量&plun;0.3mT～&plun;4.3mT的磁场，采用小型尺寸
封装。产品可广泛应用于智能、智能交通、汽车电子、工业控制、设备、消费电子等领域。
宽测量范围系列
表1：宽测量范围系列产品参数表
型号 | 电阻（Ω） | 灵敏度 （mV/V·mT） | 饱和场 （mT） | 分辨力 （nT） | 非线性度 (%)FS | 温漂 ppm/℃ |
VA110F2 | 5000 | 14 | 2.0 | 241 | 0.59 | 8.8 |
VA110F3 | 10000 | 10 | 4.8 | 727 | 0.55 | 6.4 |
VA110F4 | 20000 | 6 | 4.6 | 1212 | 0.75 | 5.3 |
VA110F5 | 10000 | 6 | 4.6 | 1177 | 1.0% | 6.4 |
