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锑化铟（In）霍尔器件 线性霍尔IC元件性能
这是一种采用锑化铟蒸发薄膜的高灵敏度型霍尔元件。
电间采用高性的金丝球焊连接，稳定的特性。
采用磁性材料作为基板，输出电压灵敏度高，可用于磁场强度较小的场合。
输入输出阻适合晶体管回路。
小型封装，适用于结构紧凑的应用。
内部结构和引脚对称布局，元件水平180度旋转后特性和0度时相同。
锑化铟用来作为磁感应材料，具有灵敏度
工作温度范围：-40至110℃
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