家庭:FET - 单路
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫欧 @ 6A, 10V
漏源电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏(Id) @ 25° C:11A
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2700pF @ 25V
功率 - :180W
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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫欧 @ 6A, 10V
漏源电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏(Id) @ 25° C:11A
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2700pF @ 25V
功率 - :180W