名称:分离式半导体产品
分类:FET - 单
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 4.7A, 4.5V
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏(Id) @ 25° C:5.97A
Id 时的 Vgs(th)():1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:12.4nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss):610pF @ 10V
功率 - :3.2W
安装类型:表面贴装