MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于缘栅型。 MOS场效应管主要特点： 在金属栅与沟道之间有一层二氧化硅缘层，因此具有很高的输入电阻（可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，号如图所示。通常是将衬底（基板）与源S接在一起。 MOS场效应管分类： 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源S和漏D。源与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图（a）号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正，源接电源负并使VGS=0时，沟道电流（即漏电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏到源的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏电流ID。 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图。 MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源间电容又小，易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G与S呈等电位，积累静电荷。管子不用时，引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的静电感措施。
