场效应半导体三管是载流子参与导电的半导体器件
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏源电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏(Id) @ 25° C 130A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 7.8 毫欧 @ 78A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 250nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 5600pF @ 25V
功率 - 330W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRF1407PBF
