描述：
6A、600V N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF6N60MJ/F/D采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
封装形式：
TO-251J-3L；TO-252-2L；TO-220F-3L
特点：
∗ 6A，600V，RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V
∗ 低栅电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 了dv/dt 能力
主要限参数(除非说明，TC=25°C)：
漏源电压VDS：600V
栅源电压VGS：&plun;30V
漏电流ID(TC=25°C/100°C)：6.0A/3.8A
漏脉冲电流IDM：24A
详细参数资料请致电我司索取！
