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WFB6N60 D2PAK N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 6A，600V，RDS(on)=1.2Ω@VGS=10V
∗ 低栅电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 了dv/dt 能力
其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
