总体描述特征
额定值TA = 25°C,除非另有注
号参数评级的单位
VDSS漏源电压至30 V
VGSS栅源电压值-连续&plun;20 V
漏电流-连续(注1a)- 4
-脉冲- 20
腹膜透析功耗(1a)1.6 W
(注意磅)0.8
TSTG操作,均能储存温度范围- 55到150℃
热特点,
RqJA热阻、Junction-to-Ambient(1a)78°C / W
RqJC热阻、Junction-to-Case(注1)30°C / W
FDC658P Rev.C
这P-Channel电平MOSFET产生了
采用半导体市场
PowerTrench已经定制的过程
在导通状态阻力降到,然而保持
门低收费切换性能。
这些设备都适合笔记本电脑
应用:负荷开关,电源管理,
电池充电电路、直流/直流转换。
一、至30 - V关系型数据库(在)= 0.050 W - V = @器
关系型数据库(在)= 0.075 W @ VGS = -4.5 V。
(8nC典型低门)。
沟技术为低
关系型数据库(上)。
包装:小SuperSOTTM-6小于(72%
标准SO-8);低调(等级的厚)。
SOT-23 SuperSOTTM-6 SuperSOTTM-8 SO-8 SOT-223 SOIC-16
D
D
D