半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电引线,分别叫基B、发射E和集电C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
主要参数
特征频率fT 当f= fT时,三管失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。
工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE 电流放大倍数。
VCEO 集电发射反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
PCM 允许耗散功率。