二次离子质谱 IMS 7f

二次离子质谱概述

u  能量的离子打到固体表面会引起表面原子、分子或原子团的二次发射，即离子溅射。溅射的粒子一般以中性为主，其中有一部分带有正、负电荷，这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱。根据溅射的二次离子信号，可对被轰击样品的表面和内部元素及分布特征进行分析。

u  二次离子质谱仪主要用于材料学（半导体、薄层、缘材料等）、地质空间学、天体化学、环境微生物学和细胞学。

u  主要功能：

               质谱分析-表面微区元素组成

               痕量元素深度剖析

               二次离子成像及显微图像分布（2＆3D）

               稳定同位素丰度比

               放射性颗粒分析

               地质定年

二次离子质谱  IMS 7f

1、众多分析实验室的主力军

2、通用磁扇区二次离子质谱仪：比飞行时间（TOF）SIMS要快，比四级杆

     SIMS质量分辨率要高

3、高灵敏度痕量元素分析：ppm-ppb级

4、痕量元素深度剖析：亚横向分辨率，纳米级深度分辨率

5、高灵敏度痕量元素二次离子显微图像（2＆3D）

6、高分析速度高的稳定同位素丰度比

7、可增配装置，用于放射性样品分析

8、用于半导体、材料和核能科学、生态环境领域、地质学

u  灵敏度：IMS 7f 工作时的离子产率(usefulyields- secondary ion detected per atomsputtered)比四杆分析器100倍。做通常的深度剖析或者成像分析，以获得同样灵敏度所用时间相比，是飞行时间（TOF）类SIMS的一。(或反过来说，同样的分析时间，TOF SIMS的灵敏度要低达1000倍)。

u  质量分辨: IMS 7f 可以分辨大多数质谱中存在的质量干扰，例如，31P与H30Si, 56Fe与28Si or 17O与H16O。这些干扰使得低质量分辨率质谱仪（比如四杆类型）的探测限大打。CAMECA的SIMS获得高质量分辨率的同时并不会降低分析速度，这是TOF质谱仪无法做到的。

u  离子成像：IMS 7f 可以对所选质量给出显微镜模式的图像，分辨率一微米。从时间上看，这种模式下获得图像的速度比常规的扫描图像模式(microprobe mode)要高几个数量级。这种模式下还可以大大缩短调试设备的时长。

u   若想获得亚分辨率的图像，CAMECA IMS 7f 需要采用微探针模式，依靠动态光学传输以及高亮离子源业界水准的灵敏度和分辨率。