半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
三管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个。在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别管型。
① 基的判别
判别管时应先确认基。对于PNP管，用黑表笔接假定的基，用红表笔分别接触另外两个，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时假定就是基。NPN管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏（电阻均较小）的情况下，红表笔接基。
实际上，小功率管的基一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基，既可测定三管的两个PN结是否完好（与二管PN结的测量方法一样），又可确认管型。
② 集电和发射的判别
确定基后，假设余下管脚之一为集电c，另一为发射e，用手指分别捏住c与b（即用手指代替基电阻Rb）。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c、用红表笔接e（PNP管相反），观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度大的表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e正确。