S8050晶体管（NPN） 品牌：长电
采用SOT - 23塑料封装晶体管
特征
集电电流: Ic=0.5A 芯片标记: J3Y
额定值（Ta = 25℃除非另有说明）
号 参数值 单位
VCBO Collector-Base Voltage 40 V 集电基电压
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V 集电发射电压
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 发射基电压
IC Collector Current –Continuous 0.5 A 集电电流连续
PC Collector Dissipation 0.3 W 集电耗散
Tj Junction Temperature 150 ℃ 结温
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ 储存温度
电气特性
参数 号 测试条件 数值 （Tamb = 25℃除非另有说明）
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100μA, IE=0 40V 集电基击穿电压
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA, IB=0 25V 集电发射击穿电压
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5V 发射基击穿电压
Collector cut-off current ICBO VCB=40 V , IE=0 0.1 μA 集电截止电流
Collector cut-off current ICEO VCB=20V , IE=0 0.1 μA 集电截止电流
Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V , IC=0 0.1 μA 发射截止电流
DC current gain 直流电流增益
HFE(1) VCE=1V, IC= 50mA 120-350
HFE(2) VCE=1V, IC= 500mA 50
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 0.6V 集电发射饱和电压
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 1.2V 基发射饱和电压
Transition frequency（ fT） VCE=6V, IC= 20mA f=30MHz 150MHz 转换频率
放大倍数范围： 120-200（L） 200-350（H）
SOT-23 脚位：
1． 基 2.发射 3． 集电
"