Part Number（编码） | Chip（晶片） | ||
1W红色 | Material（材料） | Emitting（颜色） | 入P(nm) |
InGaN | RED | 625 | |
Parameter（参数） | Symbol | MIN | TYP | MAX | UNIT | TT CONDITION |
Forward Voltage（顺向电压） | VF | 2.0 | / | 2.4 | V | If=350mA |
Domi Welength（主波长） | λd | 625 | / | 630 | nm | |
Reverse Current（反向电流） | IR | 10 | μA | VR=5V | ||
Power dissipation （消耗功率） | Pd | 1000 | mW | |||
Luminous Intensity （发光强度） | IV | 30 | / | 40 | LM | If=350mA |
Peak Forward Current （顺向电流峰值） | If(Peak) | 500 | mA | |||
Recommend Forward Current （顺向电流） | If(Rec) | 350 | mA | |||
Electrostatic Discharge （静电释放） | D | 2000 | V |
1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS：（Ta=25℃）
2.OPERATING TEMPERATURE：—40℃TO80℃ (操作温度)
3.LEAD SOLDERING：260℃FOR 5 SECONDS（焊接条件）4. 储存条件:25℃以下60%湿度以下.
