深圳市三经伟创实业发展有限公司研发生产的晶体管测试分选机，是国内无落料等待，机械，测试系统一体化，率、高的自动化产品。直线送料采用无振动皮带传送,速度可达1000PCS/MIN.测试.落料采用分割器圆盘结构,速度可达250PCS/MIN。经测试后不同参数的晶体管,落入事先设定的落料箱.该分选机机械运行稳定,故障率底。测试系统是本公司与日本某公司合作研发的新成果,测试功能.其测试、稳定性及兼容性高于目前市场上普遍使用的日本测试系统。该套设备每小时产能可15K,成为该行业的产品。
机械工作原理
测试产品范围：to-92 to-126 to-220 to-251 to-252 to-
被测试元件通过振动盘振动送料,进入无振动直线送料系统,经入料夹传送至分割器圆盘夹。在测试工位经过测试后,再由圆盘夹传送至相应的落料口,气缸开夹落料,被测试元件经落料管道进入指定的分料箱.测试不良的,进入废料箱。
机器特点
一、 平送送料采用皮带传送,无振动,速度快,稳定。
二、 圆盘式夹料爪采用分割器传动,精准、稳定,故障率低。
三、 功能测试要两道测试工位,耐高压,测试结果。
四、 测试分类可选择性高,共28个分料箱,可设置27个分类。
五、 经测试过的不同参数元件经过相应的落料管道进入分料箱,无落料等待时间,高的了工作效率。
六、 本设备适用测试范围:TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126、TO-220、TO-251、TO-252、TO-220、TO-等封装类型的分立器件分选测试、兼容。
七、 测试系统除测试电压,电流等基本参数外,还可测试热阻,T/S值,IC测试电流20A。
八、 触摸式平板电脑操作系统,无键盘,无鼠标.操作简单,数据集中。
技术参数
机械尺寸:1068LX580WX1050H(mm)
机械重量:约150Kg
工作电压:220V 50/60HZ
功率:约1KW
使用气压:4-5Kg/
BS-1000晶体管测试系统是按国际有关晶体管测试原理和实验方法标准---GB4587、GB12300.G128A及行业标准SJ/T10415设计制造的,它采用的微机控制技术,在测试中能对测试条件自行设定,测试结果自动分档,自动统计及自动加功率(加温)测试。其测试击穿电压可达100V,IC测试电流达20A。系统还能测定BVceo、BVcbo的软硬击穿特性及HFE的线性度K,对HFE、Vces和BVceo等主要参数可用三个不同测试条件性完成测试。本系统还可测试晶体管重要的额定电流指标参数IC及△Vbe、Rth等功率性能参数。系统可测N、PNP和达林顿晶体管,还可测可控硅(THYRISTOR)。场效应管(VDMOS)、二管和稳压管。本系统充分考虑了器件生产企业的要求,实现高稳定、度、高三大特点,一台测试系统可以同时连接5台机械手工作,是一台大的晶体管综合测试系统。
工作原理
系统由微机控制程控电压源、程控电压源,取样电路和切换电路组成。微机根据设定条件自动调整程控源,施加于被测晶体管.再由采样电路采样,经A/D转换于微机显示。
使用条件
温度:10~30℃
相对湿度:20%~75%RH(30℃时)
大气压力:86~106Kpa
工作电源:220V±10%AC,50Hz±10%周围无强电源干扰。
技术指标
1、程控电压 / 电流源IⅡ，（PMU1，PMU2） ±0.1%
a.电压：±0~20.000V 16位D / A转换、16位A / D采样、量程自动切换
b.电流：±0~2.0000A 16位D / A转换、16位A / D采样、量程自动切换
2、程控电压 / 电流源（DPS） ±0.5%
a.电压： 0~30.00V 12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换
b.电流： 0~20.00A 12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换
3、程控高压源： （DDS） ±0.5%
a.电压：20~1000V 12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换
b.电流：0~20.00mA 12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换
测试参数
4.1、击穿电压测试(BVcbo,BVceo)：
a.测试条件：IC(IR) < 20mA，
b.测试范围：0~1000V
c.精 度：<±（1% + 1di）
4.2、 击穿电压测试(BVebo)：
a.测试条件： Ib < 50mA
b.测试范围： 0~20V
c.精 度：<±（0.1% + 1di）
5、漏电流测试
a.测试条件：Vcb、Vce、Vr：0~1000V，Veb≤20V
b.测试范围：0.01uA~10mA
c.精 度：<±（1%+1di）
6、HFE测试
a.测试条件：IC≤20A，Vce=1~30V，Ib=1uA~2A
b.测试范围：≥3
c.精 度：<±（1%+1di）
7、Vbe、VF测试
a.测试条件：Ie（IF）≤1.0000A
b.测试范围：0~20.000V
c.精 度：<±（0.1%+2di）
8、Vces、Vbes、Vbef、Vdf、VTM测试
a.测试条件：IC≤20A Ib≤1.0A Vce=1~30V
b.测试范围：0~30.000V
c.精 度：<±（1%+1di）
9、△Vbe、△Icbo、△HFE测试
a.加温功率PT：1W~100W IC（Ie）≤5A Is≤0~100mA
b.加功率时间： TP=0~1000ms Td=100~300us
c.精 度：<±（1%+2i）
