代理无卤TDK瓷介电容

介电容器：
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（型）。
I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
CC1型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025缘电阻：10000mohm 试验电压：200v
允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

1型圆形瓷片低频电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
CC01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）
温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05缘电阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作电压：63v 试验电压：200v CC10 频瓷介电容
可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作电压：500v
CC11,11园片无引线瓷片电容
该电容特为高频头设计，频率特性好。
CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 缘》10000mohm
11直流电压：160V标称容量：240—1500 缘》2500mohm
82,CC82高压高功率瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M