高压瓷介电容器 标签：电容,电阻 型号 系列 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 高频消振 外形 圆片形 功率特性 大功率 频率特性 高频 调节方式 可变 引线类型 同向引出线 允许偏差 -20~80（%） 介电容器： 瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为i型（cc型）和ii型（型）。 i型（cc型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。 ii型（型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。 cc1型圆片高频瓷介电容 适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025缘电阻：10000mohm 试验电压：200v 允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1p) 10p以上（j,k,m）温度系数：-ppm/c环境温度：-25—85c 相对湿度：+40c时达96%
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