双元热释电红外传感器 RE200B
产品说明：
型号 RE200B
灵敏元面积 2.0×1.0mm2
基片材料 硅
基片厚度 0.5mm
工作波长 7-14μm
平均透过率 ＞75％
输出信号 ＞2.5V
（420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5dB增益）
噪声 ＜200mV
（mVp-p） （25℃）
平衡度 ＜20％
工作电压 2.2-15V
工作电流 8.5-24μA
（VD＝10V，RS＝47kΩ，25℃）
源电压 0.4-1.1V
（VD＝10V，RS＝47kΩ，25℃）
工作温度 -20℃- ＋70℃
保存温度 -35℃- ＋80℃
视场 139°×126°
说明 该传感器采用热释电材料化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，了传感器的工作稳定性。
使用
1、上述特性指标是在源电阻R2＝47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到光学设计。
3、电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。
4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。
5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要接错管脚
产品说明：
型号 RE200B
灵敏元面积 2.0×1.0mm2
基片材料 硅
基片厚度 0.5mm
工作波长 7-14μm
平均透过率 ＞75％
输出信号 ＞2.5V
（420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5dB增益）
噪声 ＜200mV
（mVp-p） （25℃）
平衡度 ＜20％
工作电压 2.2-15V
工作电流 8.5-24μA
（VD＝10V，RS＝47kΩ，25℃）
源电压 0.4-1.1V
（VD＝10V，RS＝47kΩ，25℃）
工作温度 -20℃- ＋70℃
保存温度 -35℃- ＋80℃
视场 139°×126°
说明 该传感器采用热释电材料化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，了传感器的工作稳定性。
使用
1、上述特性指标是在源电阻R2＝47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到光学设计。
3、电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。
4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。
5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要接错管脚
