场效应管 SI4166DY-T1-GE3
型号：SI4166DY-T1-GE3
晶体管性：N-Channel
汲源击穿电压：30V
闸源击穿电压：＋/-20 V
漏连续电流：20.5A
电阻汲源RDS（导通）：0.0045 Ohms
配置：Single Quad Drain Triple Source
工作温度：﹢150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOIC-8 Narrow
下降时间：15ns
正向跨导gFS（值/小值）：65S
小工作温度：﹣55°C
功率耗散：3W
上升时间：19ns
工厂包装数量：2500PCS/盘
典型关闭延迟时间：35ns
件号别名：SI4166DY-GE3
本公司长期供应 SI4166DY-T1-GE3
郑重：原装，十！
型号：SI4166DY-T1-GE3
晶体管性：N-Channel
汲源击穿电压：30V
闸源击穿电压：＋/-20 V
漏连续电流：20.5A
电阻汲源RDS（导通）：0.0045 Ohms
配置：Single Quad Drain Triple Source
工作温度：﹢150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOIC-8 Narrow
下降时间：15ns
正向跨导gFS（值/小值）：65S
小工作温度：﹣55°C
功率耗散：3W
上升时间：19ns
工厂包装数量：2500PCS/盘
典型关闭延迟时间：35ns
件号别名：SI4166DY-GE3
本公司长期供应 SI4166DY-T1-GE3
郑重：原装，十！
