工作原理
压力传感器是在单晶硅片上扩散上一个惠斯通电桥，电压阻效应是桥壁电阻值发生变化，产生一个差动电压信号。此信号经放大器，再经电压电流变换，将量程相对应的信号转化成标准4~20mA/0~5VDC/0~10VDC信号。
技术参数
测量介质：气体、液体、蒸汽
爆类型：本安爆隔离爆
测量范围：-0.1~1KPa~100Mpa
测量：0.1级 0.2级 0.5
温度飘移：≤0.01%FS/°C
输出信号：4~20mADC 0…5VDC 0…10VDC
工作电压：12~36VDC
负载能力：（电流型）250~1425？（电压型）≥2K？
介质温度：-40~85°C
环境温度：-40~85°C
过载能力：200%FS
材质：隔膜316S，过程接头1Cr18Ni9Ti
电气连接：直接引线赫斯曼插头航空插头
压力传感器是在单晶硅片上扩散上一个惠斯通电桥，电压阻效应是桥壁电阻值发生变化，产生一个差动电压信号。此信号经放大器，再经电压电流变换，将量程相对应的信号转化成标准4~20mA/0~5VDC/0~10VDC信号。
技术参数
测量介质：气体、液体、蒸汽
爆类型：本安爆隔离爆
测量范围：-0.1~1KPa~100Mpa
测量：0.1级 0.2级 0.5
温度飘移：≤0.01%FS/°C
输出信号：4~20mADC 0…5VDC 0…10VDC
工作电压：12~36VDC
负载能力：（电流型）250~1425？（电压型）≥2K？
介质温度：-40~85°C
环境温度：-40~85°C
过载能力：200%FS
材质：隔膜316S，过程接头1Cr18Ni9Ti
电气连接：直接引线赫斯曼插头航空插头
