采用三大新技术
半导体复合传感器技术(差压、温度、静压三传感器集成在一个硅芯片上)。
微机技术(且具有采用SMT技术高密集一板结构的电子组件)。
数字通讯技术
充分发挥硅传感器固有的性
由于利用半导体压阻效应制成的传感器材质单晶硅本身所具有的性(近理想弹性体),使滞迟、回差小、稳定性、性、重复性好。
引入的“特性描述”设计思想。
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