硅基V型槽
产品简介
MaRS硅基V型槽专为光子器件设计。这种采用高硅蚀刻工艺制造的V型槽阵列可实现单接口和多组接口光纤的对准。缓冲区可提供额外的强度和刚度，以避免处理过程中光纤断裂。金属化处理的芯片可用于实现与金属化光纤直接焊接的工艺，满足了高端应用设计中对无胶固化工艺的要求。
产品特点
标准规格4、8、16、32通道或客户自定义的多种规格V型槽光纤阵列；
高V型槽采用Si刻蚀工艺制成；
适用于直径为125/250μm的单模、多模和保偏光纤，更多规格可根据客户要求定制；
V型槽间隔标准为127μm 和250μm，或根据客户要求定制；
可选表面金属镀膜；
设计合Telcordia标准。
产品应用
集成光学器件尾纤封装工艺；
平面光波导（PLC）连接；
密集波分复用（DWDM）多通道模块连接；
光学传感器连接和反馈；
有源器件阵列连接；
光学微机电系统（MEMS）器件间连接。
产品简介
MaRS硅基V型槽专为光子器件设计。这种采用高硅蚀刻工艺制造的V型槽阵列可实现单接口和多组接口光纤的对准。缓冲区可提供额外的强度和刚度，以避免处理过程中光纤断裂。金属化处理的芯片可用于实现与金属化光纤直接焊接的工艺，满足了高端应用设计中对无胶固化工艺的要求。
产品特点
标准规格4、8、16、32通道或客户自定义的多种规格V型槽光纤阵列；
高V型槽采用Si刻蚀工艺制成；
适用于直径为125/250μm的单模、多模和保偏光纤，更多规格可根据客户要求定制；
V型槽间隔标准为127μm 和250μm，或根据客户要求定制；
可选表面金属镀膜；
设计合Telcordia标准。
产品应用
集成光学器件尾纤封装工艺；
平面光波导（PLC）连接；
密集波分复用（DWDM）多通道模块连接；
光学传感器连接和反馈；
有源器件阵列连接；
光学微机电系统（MEMS）器件间连接。
其他说明
|
型号 P/N |
通道数量 VN |
通道间隔 VS（µm） |
芯片长度 CL（mm） |
芯片宽度 CW（mm） |
边距 ED（mm） |
芯片厚度 （mm） |
|
MTT-SVG-2-250-8-2.5-1 |
2 |
250 |
8 |
2.5 |
1.125 |
1 |
|
MTT-SVG-4-250-8.15-2.5-1 |
4 |
250 |
8.15 |
2.5 |
0.875 |
1 |
|
MTT-SVG-8-127-10-2.8-1 |
8 |
127 |
10 |
2.8 |
0.955 |
1 |
|
MTT-SVG-8-250-8.15-3.2-1 |
8 |
250 |
8.15 |
3.2 |
0.725 |
1 |
|
MTT-SVG-16-127-12-3.2-1 |
16 |
127 |
12 |
3.2 |
0.647 |
1 |
|
MTT-SVG-32-127-12-5.7-1 |
32 |
127 |
12 |
5.7 |
0.881 |
1 |
|
MTT-SVG-64-127-12-10-1 |
64 |
127 |
12 |
10 |
1.000 |
1 |
