种类：角度 材料：混合物
材料物理性质：半导体 材料晶体结构：非晶
制作工艺：集成 输出信号：模拟型
护等级：- 线性度：0.1°~1°（%F.S.）
迟滞：-（%F.S.） 重复性：0.1°~1°（%F.S.）
灵敏度：- 漂移：-
分辨率：0.01°~0.1°
KMT32B磁场角度传感器
KMT32B磁场角度传感器基于磁阻效应工作原理，其部分采用一片金属材料，其电阻值随磁场的变化而变化，从而实现对外界磁场的测量。
KMT32B磁场角度传感器具有无接触角度定位，SMD封装，设计线性优化，，高，宽工作温度范围（-40到＋150，＋160℃），低功耗，合RoHS，适合恶劣环境，30000RPM高旋转速度等特点。典型应用于角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器等行业领域。
KMT32B品牌：HL Planar
KMT32B封装：TDFN2.5X2.5，SO8
KMT32B类型：角度传感器
KMT32B量程：180°
KMT32B度：0.1°~1°（典型值）
KMT32B输出：频率输出
KMT32B供电电源：5V
KMT32B工作温度：-40℃~＋150℃（175℃可选）
KMT32B电气连接：PC板安装
KMT32B特点：霍尔效应，高，高分辨率，-160℃环境温度
KMT32B典型应用：转向器位置，流量表，转速表，角编码器，电动机，方向舵
材料物理性质：半导体 材料晶体结构：非晶
制作工艺：集成 输出信号：模拟型
护等级：- 线性度：0.1°~1°（%F.S.）
迟滞：-（%F.S.） 重复性：0.1°~1°（%F.S.）
灵敏度：- 漂移：-
分辨率：0.01°~0.1°
KMT32B磁场角度传感器
KMT32B磁场角度传感器基于磁阻效应工作原理，其部分采用一片金属材料，其电阻值随磁场的变化而变化，从而实现对外界磁场的测量。
KMT32B磁场角度传感器具有无接触角度定位，SMD封装，设计线性优化，，高，宽工作温度范围（-40到＋150，＋160℃），低功耗，合RoHS，适合恶劣环境，30000RPM高旋转速度等特点。典型应用于角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器等行业领域。
KMT32B品牌：HL Planar
KMT32B封装：TDFN2.5X2.5，SO8
KMT32B类型：角度传感器
KMT32B量程：180°
KMT32B度：0.1°~1°（典型值）
KMT32B输出：频率输出
KMT32B供电电源：5V
KMT32B工作温度：-40℃~＋150℃（175℃可选）
KMT32B电气连接：PC板安装
KMT32B特点：霍尔效应，高，高分辨率，-160℃环境温度
KMT32B典型应用：转向器位置，流量表，转速表，角编码器，电动机，方向舵
