KJ009可控硅移相触发器
KJ009可控硅移相触发器的基本性能与KJ004相同，可以与KJ004互换使用。由于器件内部采用了反向阻断四硅晶闸管作脉冲记忆，了干扰能力和触发脉冲的前沿陡度，脉冲的宽度有较大的调节范围。KJ009可控硅移相触发器适用于单相、三相全控桥式供电装置中作可控硅的双路脉冲移相触发。两路相位差180度的移相脉冲可以方便地构成全控桥式触发线路。具有输出负载能力强、锯齿波线性好、正负半周脉冲相位均衡度好、移相范围宽、对同步电压要求低，有脉冲列调制输入等功能与特点。
KJ009电路工作原理：
KJ009可控硅移相触发器由同步检测电路、锯齿波形成电路、偏移电压、移相电压及锯齿波电压综合比较放大电路、脉冲记忆路及功率放大电路等部分组成。由V，—V，对同步电压进行检测。在同步电压过点时，V，～V，均截止，从而使V，＋、V，，导通，V，，使积分电容Cl放电。过结束后，Vln，Vi6恢复截止，C，接在V：。的基集电，组成密勒积分器，形成线性的锯齿波。锯齿波的斜率决定于R6、IIW，流出的充电电流和积分电容C1的数值。V24是比较放大管，锯齿波电压和移相控制电压VY以及偏移电压V，分别通过串联电阻加到V24的基作电流比较。TH是反射阻断四硅晶闸管。
当V24截止，HT也截止，由于11端外接电容C：上储存有电荷，V29集电为高电位。锯齿波电压上升高到某一瞬时，v：，基流大于，使V24导通。由于V24导通，使反向阻断四硅晶闸管导通，TH一旦被触发导通，就能保持通导状态，V24失去控制作用。TH的通导使V29导通，C2通过V29放电，由于C2的微分作用在V24导通的前沿形成宽度的输出脉冲。在同步电压过时，由于V24的导通使V19、V20、V21在导通一下。V21导通给TH阳控制加上高电位，使四硅晶闸管截止，从而V29也截止，同时也由于V20导通对C2充电，使11端建立高电位准备下半周输出脉冲。V44—49是功放级，分别对正负半周的脉冲进行功率放大，使两个输出端都有100mA的输出能力。13、14端提供脉冲列调制和脉冲封锁的控制。KJ009可控硅移相触发器电路的同步电压为任意值，同步串联电阻R4选择按下式计算：R4＝同步电压／2～3×103（Ω）
KJ009封装形式：
KJ009可控硅移相触发器电路采用双列直插C—16线白瓷和黑瓷两种外壳封装，外形尺寸按电子工业部部颁标准《半导体集成电路外形尺寸》SJ1100—76
KJ009典型接线图及各点波形：
对不同的移相控制电压VY，只要改变权电阻R1、R2的比例，调节相应电压VP同时调整锯齿波斜率电位器RW1，可以使不同的移相控制电压获得整个移相范围。触发性为正性型，即移相电压增加，号通角。
KJ009电参数：
1、电源电压：直流＋15V、-15V，允许波动±5％（土10％时功能正常）。
2、电源电流：正电流≤15mA，负电流≤10mA。
3、同步电压：任意值。
4、同步输入端允许同步电流：6mA（值）
5、移相范围：≥170’（同步电压30V，同步输人电阻15KΩ）。
6、锯齿波幅度：≥10V（幅度以锯齿波平顶为准）。
7、输出脉冲：
（1）宽度：400μS～2mS（改变阻容元件）。
（2）幅度：≥13V。
8、输出管反压：BVceo≥18V（测试条件Ie＝100μA）。
9、正负半周脉冲相位不均衡度：≤土30。
KJ009可控硅移相触发器的基本性能与KJ004相同，可以与KJ004互换使用。由于器件内部采用了反向阻断四硅晶闸管作脉冲记忆，了干扰能力和触发脉冲的前沿陡度，脉冲的宽度有较大的调节范围。KJ009可控硅移相触发器适用于单相、三相全控桥式供电装置中作可控硅的双路脉冲移相触发。两路相位差180度的移相脉冲可以方便地构成全控桥式触发线路。具有输出负载能力强、锯齿波线性好、正负半周脉冲相位均衡度好、移相范围宽、对同步电压要求低，有脉冲列调制输入等功能与特点。
KJ009电路工作原理：
KJ009可控硅移相触发器由同步检测电路、锯齿波形成电路、偏移电压、移相电压及锯齿波电压综合比较放大电路、脉冲记忆路及功率放大电路等部分组成。由V，—V，对同步电压进行检测。在同步电压过点时，V，～V，均截止，从而使V，＋、V，，导通，V，，使积分电容Cl放电。过结束后，Vln，Vi6恢复截止，C，接在V：。的基集电，组成密勒积分器，形成线性的锯齿波。锯齿波的斜率决定于R6、IIW，流出的充电电流和积分电容C1的数值。V24是比较放大管，锯齿波电压和移相控制电压VY以及偏移电压V，分别通过串联电阻加到V24的基作电流比较。TH是反射阻断四硅晶闸管。
当V24截止，HT也截止，由于11端外接电容C：上储存有电荷，V29集电为高电位。锯齿波电压上升高到某一瞬时，v：，基流大于，使V24导通。由于V24导通，使反向阻断四硅晶闸管导通，TH一旦被触发导通，就能保持通导状态，V24失去控制作用。TH的通导使V29导通，C2通过V29放电，由于C2的微分作用在V24导通的前沿形成宽度的输出脉冲。在同步电压过时，由于V24的导通使V19、V20、V21在导通一下。V21导通给TH阳控制加上高电位，使四硅晶闸管截止，从而V29也截止，同时也由于V20导通对C2充电，使11端建立高电位准备下半周输出脉冲。V44—49是功放级，分别对正负半周的脉冲进行功率放大，使两个输出端都有100mA的输出能力。13、14端提供脉冲列调制和脉冲封锁的控制。KJ009可控硅移相触发器电路的同步电压为任意值，同步串联电阻R4选择按下式计算：R4＝同步电压／2～3×103（Ω）
KJ009封装形式：
KJ009可控硅移相触发器电路采用双列直插C—16线白瓷和黑瓷两种外壳封装，外形尺寸按电子工业部部颁标准《半导体集成电路外形尺寸》SJ1100—76
KJ009典型接线图及各点波形：
对不同的移相控制电压VY，只要改变权电阻R1、R2的比例，调节相应电压VP同时调整锯齿波斜率电位器RW1，可以使不同的移相控制电压获得整个移相范围。触发性为正性型，即移相电压增加，号通角。
KJ009电参数：
1、电源电压：直流＋15V、-15V，允许波动±5％（土10％时功能正常）。
2、电源电流：正电流≤15mA，负电流≤10mA。
3、同步电压：任意值。
4、同步输入端允许同步电流：6mA（值）
5、移相范围：≥170’（同步电压30V，同步输人电阻15KΩ）。
6、锯齿波幅度：≥10V（幅度以锯齿波平顶为准）。
7、输出脉冲：
（1）宽度：400μS～2mS（改变阻容元件）。
（2）幅度：≥13V。
8、输出管反压：BVceo≥18V（测试条件Ie＝100μA）。
9、正负半周脉冲相位不均衡度：≤土30。
