技术规格
型号：GM8012＋GM83001E GM8012＋2XGM83001E GM8012＋GM83002 GM8012＋2XGM83002
探测器类型：单通道InGaAs
双通道：InGaAs
单通道：InGaAs
双通道：InGaAs
波长范围：850~1700 nm 850~1700 nm
功率范围：＋3~-85 dBm＋23~-60 dBm
光纤类型：62.5um
：＋/-4%（1200nm~1610nm）
相对：<0.02dB Typical
功率线性度：<＝＋/-0.06dB（1200nm~1610nm，＋0~-60dBm）
回损：>40dB
工作温度：0～＋40℃
存储温度：-30～＋80℃
校准周期：2 years
外形尺寸：200mmW，105mmH，250mmD
重量：4.5kg
型号：GM8012＋GM83001E GM8012＋2XGM83001E GM8012＋GM83002 GM8012＋2XGM83002
探测器类型：单通道InGaAs
双通道：InGaAs
单通道：InGaAs
双通道：InGaAs
波长范围：850~1700 nm 850~1700 nm
功率范围：＋3~-85 dBm＋23~-60 dBm
光纤类型：62.5um
：＋/-4%（1200nm~1610nm）
相对：<0.02dB Typical
功率线性度：<＝＋/-0.06dB（1200nm~1610nm，＋0~-60dBm）
回损：>40dB
工作温度：0～＋40℃
存储温度：-30～＋80℃
校准周期：2 years
外形尺寸：200mmW，105mmH，250mmD
重量：4.5kg
