氮化铝底板，第三代晶闸管模块，性能优且稳，国际。
一、特点
单向导电性指标，“漏电流”只及标准的1／200且长期稳定。
DBC底板使模块工作寿命指标，承受冷热冲击次数至少高过标准10倍（氧化铝DBC底板为5倍）。
散热能力强，同等条件温升，避免快速热老化击穿。
浪涌电流为额定值的19〜42倍（标准16倍）。
电压临界上升率高DV／dt≥1000V／μs，不易误触发。
额定电流3〜4倍（标准为1倍）时，管压降只有1.2〜1.7V.
配上瞬态衰减器，可承受4KV脉冲群、浪涌过电压，避免快速电老化击穿，耐压无须过1600V.
它以前太贵，工艺新使工业级产品的价格降到与国产可控硅模块差不多，便于普及应用。
二、电连接
模块内含有二个晶闸管芯；通用电连接型式，代号为C.1、2、3为功率端，配有不锈钢螺钉，可作为一个整流臂，用于直流电路；也可把2、3短接成一个端，1为另一端，构成“反并联”连接，用于交流电路。5、6端分别为对应的晶闸管的门控制端，可用电线锡焊后引出。
三、主要应用
整流器、充电器、变流器、无功补偿节电器、交流调压器、固态开关等。
四、模块底板
市面上的晶闸管模块大多数是代产品，3mm厚的铜底板沉甸甸的。铜板、陶瓷层、硅芯片三层材料热膨胀系数相差很大，冷热冲击使层间开裂损坏，属淘汰产品。
第二代晶闸管模块采用氧化铝DBC（Dire Bonding Copper）底板，由0.3mm薄铜皮与氧化铝（白色）键合成一体开裂，见图2.但是氧化铝的热膨胀系数与硅芯片相差还不够小，二者之间还会微裂。
第三代晶闸管模块采用DBC底板，由0.3mm薄铜皮与陶瓷层（白色）键合而成一体开裂。而且陶瓷层与硅芯片的热膨胀系数相接近，也不易开裂。福建省电子产品监督检测所测试证实：产品耐用性指标“承受冷热循环次数”／T7826-1995（即IEC T7）标准的10。模块“工作寿命”难题才得到满意解决。目前国际上只有个别厂家能生产（第三代）长命晶闸管模块。
一、特点
单向导电性指标，“漏电流”只及标准的1／200且长期稳定。
DBC底板使模块工作寿命指标，承受冷热冲击次数至少高过标准10倍（氧化铝DBC底板为5倍）。
散热能力强，同等条件温升，避免快速热老化击穿。
浪涌电流为额定值的19〜42倍（标准16倍）。
电压临界上升率高DV／dt≥1000V／μs，不易误触发。
额定电流3〜4倍（标准为1倍）时，管压降只有1.2〜1.7V.
配上瞬态衰减器，可承受4KV脉冲群、浪涌过电压，避免快速电老化击穿，耐压无须过1600V.
它以前太贵，工艺新使工业级产品的价格降到与国产可控硅模块差不多，便于普及应用。
二、电连接
模块内含有二个晶闸管芯；通用电连接型式，代号为C.1、2、3为功率端，配有不锈钢螺钉，可作为一个整流臂，用于直流电路；也可把2、3短接成一个端，1为另一端，构成“反并联”连接，用于交流电路。5、6端分别为对应的晶闸管的门控制端，可用电线锡焊后引出。
三、主要应用
整流器、充电器、变流器、无功补偿节电器、交流调压器、固态开关等。
四、模块底板
市面上的晶闸管模块大多数是代产品，3mm厚的铜底板沉甸甸的。铜板、陶瓷层、硅芯片三层材料热膨胀系数相差很大，冷热冲击使层间开裂损坏，属淘汰产品。
第二代晶闸管模块采用氧化铝DBC（Dire Bonding Copper）底板，由0.3mm薄铜皮与氧化铝（白色）键合成一体开裂，见图2.但是氧化铝的热膨胀系数与硅芯片相差还不够小，二者之间还会微裂。
第三代晶闸管模块采用DBC底板，由0.3mm薄铜皮与陶瓷层（白色）键合而成一体开裂。而且陶瓷层与硅芯片的热膨胀系数相接近，也不易开裂。福建省电子产品监督检测所测试证实：产品耐用性指标“承受冷热循环次数”／T7826-1995（即IEC T7）标准的10。模块“工作寿命”难题才得到满意解决。目前国际上只有个别厂家能生产（第三代）长命晶闸管模块。
其他说明
参数见下表.
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