一、主要技术性能
1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， ：≤2.5% 。
2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。
3、栅开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 ：≤5% 。
4、Gfs跨导测试电流：1—50 A连续可调， ：≤10 % 。
5、Gfs跨导测试范围：1—100 / S 。
二、主要测试功能
1、场效应管击穿电压VDSS、开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
2、IGBT击穿电压V(BR)ces、开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试（配对）。
4、各类晶体三管、二管、稳压管击穿电压的测试。
5、压敏电阻电压的测试等。
1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， ：≤2.5% 。
2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。
3、栅开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 ：≤5% 。
4、Gfs跨导测试电流：1—50 A连续可调， ：≤10 % 。
5、Gfs跨导测试范围：1—100 / S 。
二、主要测试功能
1、场效应管击穿电压VDSS、开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
2、IGBT击穿电压V(BR)ces、开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试（配对）。
4、各类晶体三管、二管、稳压管击穿电压的测试。
5、压敏电阻电压的测试等。
