HT磁致伸缩位移传感器
技术参数
测量数据：位置
测量行程：50～6000mm
输出模式：4～20mA，20～4mA，0～20mA，0～10VDC，10～0VDC，0～5VDC，5～0VDC，-5～5V，-10～10V
供电电源：24VDC±10％
工作电流：小于30mA
工作温度：电子仓：-40℃＋80℃（范围）测杆：-40℃～＋110℃（范围）
性能指标
线性误差：±0.05％FS
重复：±0.002％FS
负载能力：4～20mA输出：带负载能力≤500Ω；0～5V，0～10V输出：控制器负载≥5KΩ
分辨率：采用16位D／A输出
可调范围：100％可调点和满量程
结构材质
测杆材料：0Cr18Ni9、316L
电子仓材料：1Cr18Ni9Ti
连接方式：M18×1.5、M20×1.5或者用户定制
出线方式：屏蔽电缆线，默认长度1m（可根据用户要求加长至20m）；航空插头连接；接线端子连接
爆类型：ExdⅡBT5，ExdⅡ5
护等级：IP65
特点
基于数字技术，产品更稳定
强的干扰性能
较低的工作电流
支持双位置（双模拟信号）同时输出
注：以上产品均为标准型
技术参数
测量数据：位置
测量行程：50～6000mm
输出模式：4～20mA，20～4mA，0～20mA，0～10VDC，10～0VDC，0～5VDC，5～0VDC，-5～5V，-10～10V
供电电源：24VDC±10％
工作电流：小于30mA
工作温度：电子仓：-40℃＋80℃（范围）测杆：-40℃～＋110℃（范围）
性能指标
线性误差：±0.05％FS
重复：±0.002％FS
负载能力：4～20mA输出：带负载能力≤500Ω；0～5V，0～10V输出：控制器负载≥5KΩ
分辨率：采用16位D／A输出
可调范围：100％可调点和满量程
结构材质
测杆材料：0Cr18Ni9、316L
电子仓材料：1Cr18Ni9Ti
连接方式：M18×1.5、M20×1.5或者用户定制
出线方式：屏蔽电缆线，默认长度1m（可根据用户要求加长至20m）；航空插头连接；接线端子连接
爆类型：ExdⅡBT5，ExdⅡ5
护等级：IP65
特点
基于数字技术，产品更稳定
强的干扰性能
较低的工作电流
支持双位置（双模拟信号）同时输出
注：以上产品均为标准型
