产品信息：
晶体管类型：NPN电流-集电（Ic）（）：600mA
电压-集电发射击穿（）：40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：1V @ 50mA, 500mA
在某Ic、Vce时的小直流电流增益（hFE）：100 @ 150mA, 10V
功率-：225mW
频率-转换：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装：带卷（TR）
晶体三管是常用的基本元器件之一，晶体三管的作用主要是电流放大，他是电子电路的元件，现在的大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三管。
三管基本机构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电，分别为基b发射e和集电c.发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射箭头向里；NPN型三管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射箭头向外。发射箭头向外。发射箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三管和锗晶体三管都有PNP型和NPN型两种类型。