多晶硅过程气体分析系统

　　DFT-DC800型多晶硅过程气体分析系统
　　多晶硅尾气各主要成分的体积分数分别为，HCl 30%；H2 64.2%；SIHCl3 5.4%；其他0.2%。多晶硅尾气均为可回收的产品或可循环使用的原料。对尾气进行的治理，不可以原料的利用率，还可以降低三废的排放量。为了合理治理尾气，须根据尾气的特性、成分、压力等，选择适当的工艺流程和技术条件。
　　DFT-DC800型多晶硅过程气体分析系统可连续监测工业硅提纯的三氯氢硅氢还原工艺中氢气的氧含量和微水含量以及在尾气管道保护气氮气的氧含量和微水含量，从而后提炼纯硅的品质。
　　岛京公司采用变压吸附工艺，性去除杂质，分析效果准确性。预处理单元中利用吸附剂吸附杂质组分的能力远强于吸附氢气能力，可以将混合气体中的氢气提纯。本系统根据我国多晶硅生产线中高尘、高腐蚀的恶劣工况条件。

　　系统特点
　　1.取样系统为可插拔式探头，方便更换滤芯
　　2.过滤器可过粉尘和硅粉，过滤为0.1μm
　　3.大屏幕现场就地显示
　　4.系统自动标定，无须人工校验；
　　5.主机采用纯检测元件；
　　6.系统兼容大
　　7.手自动一体，故障自检；
　　技术参数
　　1）型号：DFT-DC800
　　2）输出：4-20 mA、RS232或485
　　3）响应时间：T90<15s
　　4）工作温度：-20º~＋60º
　　5）电源：24 VDC
　　6）护等级：IP65
　　7）系统部件：316L不锈钢
　　8）爆标准：合EEx ia IIC T4

　　微水分析仪：
　　a.测量范围：-100~＋20º
　　b.：＋20~-60º范围内为&plun;1º
　　c.-60~-100º范围内为&plun;2º
　　d.工作压力：真空~40 MPa
　　e.计量单位：PPmW，℃
　　f.爆标准：非现场显示型合EEx ia IIC T4
　　g.现场显示型合EEXd IIB T4
　　
　　氧含量分析仪：
　　h.测量范围：0/10/100PPm 1/10/25%
　　i.：<1%FS
　　j.计量单位：PPmW，%
　　k.大气压力影响：大气压力影响：每变化1毫米汞柱读数变化&plun;0.13%
　　l.爆标准：NEC/CEC Cl I，II，III，Division 1
　　GroupsA，B，C，D，E，F，G；
　　CENELEC Eex ia II c T4（60℃）BASEEFA Ceet.Nos.
　　Ex96D2442 and Ex 96D2444