典型应用：E-Scan Refractometer为一精密过程控制仪表，其设计便于安装在管道、储罐、反应釜等容器上。
半导体工业型可用于CMP、AMP、湿刻、显影、清洗和稀释等工艺中的化学药剂的浓度在线检测。
通用型广泛应用于化学工业、石油化学工业、轻纺工业、半导体及电子工业、钢铁工业、食品及制药工业、工业等。被测介质举例如下（不局限于以下举例）：
？、盐酸、硝酸、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、氯化钠、溴化锂等等。
？甲醇、乙醇、、已烷、、汽油、煤油等等。
？洗涤剂，是氟化物洗涤剂的取代品。
？排放，亦适用于其它各种液体和溶液。
E-Scan Refractometer 被设计用于实时湿用的化学品的浓度监测硅晶片制造。E-Scan Refractometer 提供了一种连续测量信号（4-20mA或RS485），它提供实时监控和许多的可能性过程控制。由于的数字测量原则上没有信号漂移。
主要受益的实时监控与 E-Scan Refractometer 的潜在收益增加晶片的形式吞吐量。确切的化学流取决于浴化学和序列，化学浓度，清洗时间和温度。目的是为了与优化的处理多个晶片化学量，并尽量减少设备停机在晶片的整个处理过程的时间。某些湿化学品需要一个单独的处理系统。的废物流通常是不适合于内部回收或再利用。因此，无论经济和环境的可以节省化学废物处理实现与优化使用的化学品。
晶圆清洗
通过使用各种液体进行晶圆清洗从表面去除污染物的化学物质的硅晶片。常用的方法RCA清洗过程中，在那里RCA-1清洁，也称为SC-1（标准干净的1），是用于残余物和微粒清除。RCA-2清除干净，或SC-2（标准清洁2），金属从晶片的污染物。摊薄HF和SPM除硅氧化物和属物分别。E-Scan Refractometer 提供一种方法，用于监测在使用点（POU）的化学品的混合和交付。
湿法刻蚀
用于化学湿蚀刻删除图层（金属，硅，光致蚀剂）的表面的在制造过程中晶圆。腐蚀剂，侵蚀基板同样在方向上，被称为各向同性的。现代化的进程更倾向于各向异性蚀刻，因为它们产生尖锐，以及控制功能。
几个各向异性的湿蚀刻剂可用于硅。例如，氢氧化钾（KOH）和四甲基氢氧化铵（TMAH）通常用于此目的。
的KOH浴中硅的刻蚀速率取决于浴温度和KOH浓度。
硅的刻蚀速率是一个函数的KOH浓度和浴温。由于蚀刻的进展，一些KOH（即OH-离子）是过程中所消耗。E-Scan Refractometer提供了一个KOH浓度的指示，并有助于确定正确的腐蚀终点。这种方式的bathlife可以增加，和晶圆废料和化学废物小化。
折射率给出了一个总的指示的溶解固体。使用硅的蚀刻KOH水混合形成了一个三级的解决方案，溶解硅。硅酸盐的影响，需要从KOH浓度要补偿阅读。E-Scan Refractometer 提供了一种方法（这折射仪补偿申请中）输出读数。补偿因子可以在控制系统中实施的。同样的现象被认为是在氮化硅的蚀刻热法磷酸蚀刻后硅片清洗蚀刻后的晶片清洗的目的是从晶片除去残渣。蚀刻后清洗通常是通过胺（例如羟胺），氟化物或第四纪（例如NMP）中基于化学品。
E-Scan Refractometer 测量浓度的蚀刻后的清洁剂，例如聚合物如EKC的清除。这提供了一个实时浴寿命的指示，这有助于晶片的产量和实现化学品的消耗显着节省。
化学机械平坦化
为了使晶片表面平滑后金属沉积，称为化学的方法使用磨料的CMP除去施加机械平坦化（CMP）的过度金属
泥浆，它通常含有二氧化硅或氧化铝颗粒和一个移动的抛光垫。体积分配和混合方法是要的因为大量的浆料，这是需要在大批量制造工厂。
通常情况下，CMP制程使用过氧化氢（H2O2）作为氧化剂泥浆。氢过氧化氢，在浆料中作为氧化剂使用，需要
现场混合，因为它有一个短的适用期，未稳定长的时间允许运输。紧控制时，过氧化氢的混合混合物是很重要的，因为太多的它可以导致晶片污染。
E-Scan Refractometer 提供了一个实时过氧化氢浓度监测方法CMP研磨浆的的POU混合的。
半导体工业型可用于CMP、AMP、湿刻、显影、清洗和稀释等工艺中的化学药剂的浓度在线检测。
通用型广泛应用于化学工业、石油化学工业、轻纺工业、半导体及电子工业、钢铁工业、食品及制药工业、工业等。被测介质举例如下（不局限于以下举例）：
？、盐酸、硝酸、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、氯化钠、溴化锂等等。
？甲醇、乙醇、、已烷、、汽油、煤油等等。
？洗涤剂，是氟化物洗涤剂的取代品。
？排放，亦适用于其它各种液体和溶液。
E-Scan Refractometer 被设计用于实时湿用的化学品的浓度监测硅晶片制造。E-Scan Refractometer 提供了一种连续测量信号（4-20mA或RS485），它提供实时监控和许多的可能性过程控制。由于的数字测量原则上没有信号漂移。
主要受益的实时监控与 E-Scan Refractometer 的潜在收益增加晶片的形式吞吐量。确切的化学流取决于浴化学和序列，化学浓度，清洗时间和温度。目的是为了与优化的处理多个晶片化学量，并尽量减少设备停机在晶片的整个处理过程的时间。某些湿化学品需要一个单独的处理系统。的废物流通常是不适合于内部回收或再利用。因此，无论经济和环境的可以节省化学废物处理实现与优化使用的化学品。
晶圆清洗
通过使用各种液体进行晶圆清洗从表面去除污染物的化学物质的硅晶片。常用的方法RCA清洗过程中，在那里RCA-1清洁，也称为SC-1（标准干净的1），是用于残余物和微粒清除。RCA-2清除干净，或SC-2（标准清洁2），金属从晶片的污染物。摊薄HF和SPM除硅氧化物和属物分别。E-Scan Refractometer 提供一种方法，用于监测在使用点（POU）的化学品的混合和交付。
湿法刻蚀
用于化学湿蚀刻删除图层（金属，硅，光致蚀剂）的表面的在制造过程中晶圆。腐蚀剂，侵蚀基板同样在方向上，被称为各向同性的。现代化的进程更倾向于各向异性蚀刻，因为它们产生尖锐，以及控制功能。
几个各向异性的湿蚀刻剂可用于硅。例如，氢氧化钾（KOH）和四甲基氢氧化铵（TMAH）通常用于此目的。
的KOH浴中硅的刻蚀速率取决于浴温度和KOH浓度。
硅的刻蚀速率是一个函数的KOH浓度和浴温。由于蚀刻的进展，一些KOH（即OH-离子）是过程中所消耗。E-Scan Refractometer提供了一个KOH浓度的指示，并有助于确定正确的腐蚀终点。这种方式的bathlife可以增加，和晶圆废料和化学废物小化。
折射率给出了一个总的指示的溶解固体。使用硅的蚀刻KOH水混合形成了一个三级的解决方案，溶解硅。硅酸盐的影响，需要从KOH浓度要补偿阅读。E-Scan Refractometer 提供了一种方法（这折射仪补偿申请中）输出读数。补偿因子可以在控制系统中实施的。同样的现象被认为是在氮化硅的蚀刻热法磷酸蚀刻后硅片清洗蚀刻后的晶片清洗的目的是从晶片除去残渣。蚀刻后清洗通常是通过胺（例如羟胺），氟化物或第四纪（例如NMP）中基于化学品。
E-Scan Refractometer 测量浓度的蚀刻后的清洁剂，例如聚合物如EKC的清除。这提供了一个实时浴寿命的指示，这有助于晶片的产量和实现化学品的消耗显着节省。
化学机械平坦化
为了使晶片表面平滑后金属沉积，称为化学的方法使用磨料的CMP除去施加机械平坦化（CMP）的过度金属
泥浆，它通常含有二氧化硅或氧化铝颗粒和一个移动的抛光垫。体积分配和混合方法是要的因为大量的浆料，这是需要在大批量制造工厂。
通常情况下，CMP制程使用过氧化氢（H2O2）作为氧化剂泥浆。氢过氧化氢，在浆料中作为氧化剂使用，需要
现场混合，因为它有一个短的适用期，未稳定长的时间允许运输。紧控制时，过氧化氢的混合混合物是很重要的，因为太多的它可以导致晶片污染。
E-Scan Refractometer 提供了一个实时过氧化氢浓度监测方法CMP研磨浆的的POU混合的。
