一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳和阴两个端子。
rectifier diode 整流二管
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳和阴两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二管的单向导电性,其伏安特性和电路号如图2所示。整流二管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二管高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二管主要用于各种低频半波整流电路，如需全波整流需连成整流桥使用。
整流二管的选用
1N4001
整流二管一般为平面型硅二管，用于各种电源整流电路中。 选用整流二管时，主要应考虑其整流电流、反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择整流电流和反向工作电流合要求的整流二管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二管。
常用参数
（1）平均整流电流IF：指二管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二管的IF为1A。 （2）反向工作电压VR：指二管两端允许施加的反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV （3）反向电流IR：它是二管在反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二管质量越好。 （4）击穿电压VR：指二管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 （5）工作频率fm：它是二管在正常情况下的工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率过fm，则二管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二管的fm为3kHz。 （6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及反向瞬态电压下的反向恢复时间。 （7）偏压电容CO：指二管两端电压为时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
整流管损坏的原因
（1）雷、过电压保护措施不力。整流装置末设置雷、过电压保护装置，即使设置了雷、过电压保护装置，但其工作不，因雷击或过电压而损坏整流管。 （2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏。 （3）运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(是在深夜点至第二天上午6点之间)不了解，或是当外界发生了甩负荷故障，运行人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏。 （4）设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行，使整流管也处于这一振动的外力干扰之下；同时由于发电机组转速时高时低，使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化，这样便大大地加速了整流管的老化、损坏。 （5）整流管规格型号不。更换新整流管时错将工作参数不合要求的管子换上或者接线错误，造成整流管击穿损坏。 （6）整流管裕量偏小。整流管的过电压、过电流裕量偏小，使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的袭击而损坏。
对整流管的检查方法
先将整流器中的整流二管拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二管的两根引出线(头、尾对调各测)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的几拾万Ω、而电阻值小的几佰Ω甚至更小，说明该二管是好的(发生了软击穿的二管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二管已被击穿损坏不能使用。
