JFY3021A晶体管参数测试仪详细介绍
※概述:
JFY3021A晶体管参数测试仪，是一种专门用于各种电子元件参数测试的新型多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。
※ 测量元件类型:
N型三管,P型三管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二管.
※ 测量参数:
■ 整流二管,三端肖特基:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
正向压降(VF) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压(VRR) | 0-1500V | 0-2.000MA |
■N型三管:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
输入正向压降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍数(HEF) | 0-3000 | VCE:0-20V IC:0-2.000A |
饱和压降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型三管:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
输入正向压降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐压(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍数(HEF) | 0-3000 | VCE:5.0V IB:100uA |
饱和压降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS场效应管:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
启动电压(VGS(th)) | 0-20.00V | 0-2.000mA |
耐压(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000mA |
导通内阻(Rson) | 1Mr-200R | Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
三端稳压IC:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
输出电压(Vo) | 0-20.00V | Vin:0-20V Io:0-2.00A |
基准IC 431:
参数項 | 测试参数 | 测试条件设置 |
输出电压(Vo) | 0-20.00V | IZ:0-200mA |
