三洋高分子聚合物电容的详细描述：
POSCAP三洋高分子电容 POSCAP因为在阳采用钽烧结体(APA系列为铝箔)，在阴里采用独自的做法使高分子半导体形成具有高度的导电性能，不使得形状大幅度变小,高度变低,等效串联电阻(R) 变小。并且拥有出色的高频率特性, 为适合电子设备的数字化, 高频化的小型化电容器。同时也具有性高,耐热性的特性。特征: 1.采用导电性高分子以实现等效串联电阻(R)小作为频率的一个功率,高频率用于除去噪声时的状态是容许纹波电流，适合用于转换电流的平滑电容器以及个人电脑CPU周围负载变化中的保护电容器。 2.无铅化对应端子上采用镀和金(金-钯), 内部材料均不使用铅。 3.长寿命105℃ x 2000小时因为采用在高温稳定性中表现出色的导电性高分子，可实现105℃&tim;2,000小时的长寿命。 ※ 除去一部分机种。 4.在下55℃时平定的温度特性由于能够生成周密,贴付性好的导电性高分子，所以对阻,R温度影响小,可广泛应用于各种设备 5.高温冲击电流特性根据导电性高分子的自我能力，可20A的冲击电流。 6.高度的焊接耐压性能(240℃，10秒) 由于拥有240℃10秒的焊接耐热性，可对应于流程中的焊接。可以实现10μF～1000μF的大容量范围广泛应用于AP系列，TP系列，TH系列,，TQ系列的容量范围。万一出故障时与钽电容相比具有很高的性用途: 数码相机，DVD播放机，个人电脑，导航系统，HDD，手机，各种携带终端机器的噪声过滤器和接应迂回道路电容器等。
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