产品参数：
功率： 0.001
类型： 通信IC
频率： 55
型号： IS62WV5128BLL-55HLI
批号： 2012+
用途： 影碟机
品牌： ISSI
电源电压： 3.6V
封装： TSOP32
产品种类 SRAM
封装-箱体 STSOP-I
工作电源电压 3.3 V
存储容量 4 Mbit
工作温度 + 85 C
小工作温度 - 40 C
类型 Asynchrous
访问时间 55 ns
组织 512 K x 8
端口数量 Single
安装风格 SMD/SMT
工作电流 15 mA
接口 TTL
现将它的特点归纳如下：
◎优点：、速度快，不配合内存刷新电路，可整体的工作效率。
◎缺点：集成度低，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以效率。
◎SRAM使用的系统：
○CPU与主存之间的缓存。
○CPU内部的L1/L2或外部的L2缓存。
○CPU外部扩充用的ST缓存。
○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。
SRAM主要用于二级缓存（Level2 C ache）。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）。SRAM也有许多种，如AsyncSRAM （Asynchrous SRAM,异步SRAM）、Sync SRAM （Synchrous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM, 流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器（decode），灵敏放大器（Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。 SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不象DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。
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