产品参数：
品牌： ISSI
型号： IS61LV25616AL-10TL
封装： TSOP44
批号： 2010+
类型： 通信IC
产品种类 SRAM
封装-箱体 TSOP-II
工作电源电压 3.3 V
存储容量 4 Mbit
工作温度 + 70 C
小工作温度 0 C
类型 Asynchrous
访问时间 10 ns
组织 256 K x 16
端口数量 Single
安装风格 SMD/SMT
工作电流 100 mA
接口 TTL
SRAM主要用于二级缓存（Level2 Cache）。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）。SRAM也有许多种，如AsyncSRAM （Asynchrous SRAM,异步SRAM）、Sync SRAM （Synchrous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM,流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器（decode），灵敏放大器（Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不象DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。
ISSI系列产品广泛应用于数字消费电子领域，包括：DVD、DVR、调制解调器、机顶盒、复印机、打印机、手持扫描仪、手机、平板电脑、无线局域网及电脑的其他外围设备。该系列产品包括DRAM、SRAM和串行EEOPROM,其中SDRAM产品容量从16M到256M,SRAM和EEPROM产品容量从1K至128K.
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SDRAM:1Mx16-4Mx16-8Mx16-16Mx16-2Mx32等等
NAND FLASH:16M-32M-64M-128M-256M-512M-1GB-2GB-4GB-8GB-16G等等、
SRAM:256K-512K-1M-2M-4M-8M-16M-32M（64x16-256x8-256X16-128x16-512x8-512x16-1024x8-1024x16-2048x8）
R FLASH:512K-1M-2M-4M-8M-16M-32M-64M
