- 产品品牌：
- ADV美国先进半导体
- 产品型号：
- 1MBH25D-120
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 1200（V） | 夹断电压 | -（V） |
| 低频跨导 | -（μS） | 极间电容 | -（pF） |
| 低频噪声系数 | -（dB） | 漏极电流 | 25（mA） |
| 耗散功率 | 130（mW） |
蔡武佳
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