- 产品品牌:
- 勤拳
- 产品型号:
- MMS103/MMS101
概述 MMS103 是一款为高灵敏度、高速、低功耗、高应用而开发的双极锁存磁传感器,集成了TMR 和CMOS 技术。MMS103 采用高推挽半桥TMR 磁传感器和CMOS 集成电路,包括TMR 电压发生器,比较器,施密特触发器和CMOS 输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压x 信号输出。通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。MMS103 低电压工作、消耗电流低、响应频率高,微安级的电流消耗成为众多低功耗应用的理想选择。(可完全替代韦根及微功耗霍尔) 产品特性 典型应用 磁隧道结 (TMR) 技术 三表(水表,气表,热量表) 双极锁存传感器 流 量 计 磁场灵敏度:Bop=3.0mT 速度测量 工作电流:6uA@3V 电机旋转位置 工作电压:1.8V~5.5V 线性位移测量 响应频率:10 kHz ESD 性能:>4kV 管脚定义 TO-92 SOT23-3
管脚名 | 序号 | 功能 | |
TO‐92 | SOT23‐3 | ||
OUTPUT | 1 | 2 | 输出 |
GND | 2 | 3 | 地 |
VCC | 3 | 1 | 电源 |
参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
工作电压 | VDD | 6 | V |
工作电流 | IDD | 20 | uA |
输出电压 | VOUT | 6 | V |
输出电流 | IOUT | 30 | mA |
使用温度 | TA | ‐40~125 | ℃ |
储存温度 | TSTG | ‐50~+170 | ℃ |
ESD 性能(HBM) | VESD | 4 | kV |
参数 | 符号 | 条件 | 小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
工作电压 | VDD | 1.8 | 3.0 | 5.5 | V | |
工作电流 | IDD | VDD=3.0V | 5 | μA | ||
输出电流 | IOUT | 10 | mA | |||
输出高电压 | VOL | VDD‐0.2 | V | |||
输出低电压 | VOH | 0.2 | V | |||
响应频率 | F | 10 | KHz | |||
使用温度 | TA | 工作 | ‐40 | 125 | °C |
参数 | 符号 | 条件 | 小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
工作点 | BOP | TA=+25°C | 3 | mT | ||
全温度范围 | mT | |||||
释放点 | BRP | TA=+25°C | -3 | mT | ||
全温度范围 | mT | |||||
回差 | BH | TA=+25°C | 6 | mT | ||
全温度范围 |
参数 | 测试条件 | 输出信号 |
南极磁场 | B>Bop | 低电平 |
北极磁场 | B | 高电平 |