碳硅分析设备

主要技术参数

测量参数：测定c、Si、CEL、△T、△TM。计算抗拉强度Rm、硬度HB、品质系数R／H、共结团数MEG、石墨化因子K

测量范围：按照ICEC584，型号K(Nicr-- Ni)200℃一1370℃

C 2.1—4.2 Si O一20  CEL 2.5—5.0               

  ：<±℃CET±0.047％C±0.039％Si±0.1％                                                     

显示  ：4位LED显示数字500mm分辨率：1℃                                                             

操作方式：9按键选择所需参数其中“Auto”键循环显示c、si、CEL                                                                                                         通过旋转电位器调整SI含量  通过内部电位器调整C含量                                        

输出方式 ：电流环TTY4—20MA     

外型尺寸：长：200mm高：200 mm厚：120mm                                                     

工作电源 ：AC：220V±10％50PIZ功率：。10VA一35VA环境温度：0℃一50℃                                   

  主要特点

  测量结果数显直读，测量时间为2—3分钟．便于铸造工程师现场配料。

  仪器的操作简单，免维护。一般的炉工即可现场使用。

  仪器是便携式的。可在炉台上自由移动，多台炉子可同时使用一台仪器。

  仪器可测量孕育前或孕育后的铁水．这是国内仪器无法做到的。