技术要求 典型数值在27°C
氧化层厚度4000A
辐射Vth灵敏度 辐射场= 0.125 MV/cm : 灵敏度 = 0.25mV/rad辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度 = 0.18mV/rad
(灵敏度在 1.5 krad(H2O)，在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)
温度补偿
TVTC 6.4mV/°C(该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值.) 线性模式中Z.T.C. 数值 ~ 1.85µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1) 饱和模式中Z.T.C.数值 ~ 20µA
(使用以下读写器电路配置) 预辐射剂量计的特点 阈值电压（外推） -6.9 +/- 0.3V Vth漂移时间（秒） 1.5mV/十年 (该数据出自读写器配置强迫40µA，两个中有一个因子会增大) 氧化层击穿电压>75V 沟道漏电流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 2 pA 亚阈值斜率240 +/- 20 mV/十年 沟道电阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.84 Mohms 福坦尼斯亚洲有限公司还提供深水高纯锗谱仪、蓄水池全自动水样核素活度监测系统、同轴高纯锗探测器GCD系列（液氮致冷）、平面型高纯锗探测器GPD系列（液氮致冷）、便携式高纯锗γ射线谱仪、手持式高纯锗探测器、自带铅室高纯锗谱仪、液体和气体流量核素分析的屏蔽高纯锗谱仪、移动式高纯锗谱仪（现场使用）、X γ射线高纯锗谱仪（电致冷）、流动式高纯锗谱仪、CdZn TeCdTe探测器和相关电子附件等相关产品。
